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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 1篇对比度
  • 1篇性能研究
  • 1篇选择比
  • 1篇阈值电压
  • 1篇流水线
  • 1篇控制图
  • 1篇基于FPGA
  • 1篇光电
  • 1篇黑白
  • 1篇仿真
  • 1篇仿真器
  • 1篇PDLC
  • 1篇SPC
  • 1篇MIPS

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 4篇王春栋
  • 2篇赵金茹
  • 2篇李俊
  • 2篇秦永伟
  • 1篇黄子强
  • 1篇刘国柱
  • 1篇孙建辉
  • 1篇林丽
  • 1篇杨文君

传媒

  • 4篇电子与封装

年份

  • 4篇2010
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
PDLC膜黑白显示原理及其光电性能研究被引量:3
2010年
文章阐述了基于正交偏正片实现PDLC膜的黑白显示机理,并基于正交偏振片研究了PDLC膜的电光特性,实现PDLC膜黑白显示。研究发现,PDLC膜的阈值电压Vth和对比度CR(0°)随膜厚、单体含量增加呈减小的趋势,与无正交偏振片下的PDLC膜相关特性相反;而饱和驱动电压Vdr随膜厚、单体含量增加而增大,且可视视角宽度随膜厚增加而减小,与无正交偏振片下PDLC膜相关特性变化趋势基本一致;透射光强与视角之间存在M型特性。
刘国柱林丽杨文君王春栋黄子强
关键词:PDLC阈值电压对比度
0.5μm有源区腐蚀工艺的正交优化
2010年
文章基于Precision5000等离子刻蚀技术,运用正交优化实验法,控制由LPCVD制备的Si3N4膜层对SiO2的选择比,对0.5μm有源区腐蚀工艺进行优化。运用minitab软件获得选择比的主效应图、效应的Pareto图、正态概率图,并讨论O2、Ar、CHF3气体对选择比的影响,最终获得各气体成分的最佳配比。实验结果表明有源区腐蚀中通过提高过腐蚀中Si3N4对SiO2的选择比来减少SiO2的损失,可以成功地将SiO2的损失控制在合理范围内,且腐蚀后平面、剖面形貌等各种参数符合产品要求。
秦永伟赵金茹王春栋李俊
关键词:选择比
基于FPGA的32位MIPS-CPU平台开发被引量:1
2010年
文章参考opencores组织的开源代码,完成基于5级流水线的32位MIPSCPU的设计,并通过增加相关逻辑解决流水线冒险与竞争。设计的CPU文中称为OPS1-CPU,使用基于Windows-DOS系统搭建gccmips_elf编译系统,用来对应用程序进行编译、链接与执行,生成相应汇编语言程序以及仿真向量文件。最终将设计的OPS1-CPU成功下载到ALTERA公司的FPGA芯片EP1C6Q240,进行了板级的指令级调试与验证,证明OPS1-CPU硬件系统与编译系统运行正常,完成MIPS系统的平台搭建。
孙建辉王春栋
关键词:MIPS流水线仿真器
SPC在微电路生产中腐蚀工序的应用被引量:1
2010年
文章介绍了统计过程控制(SPC)的基本概念和基本原理,以及在微电路生产中腐蚀工序的应用。详细介绍潜在工序能力指数和实际工序能力指数的区别以及双侧规格下的常规计算方法,给出实际生产中工序能力指数的判断准则。研究SPC在腐蚀工序中在线设备运转状态和产品的关键工艺参数的监控内容及方式。讨论SPC实施过程中控制图的建立过程、参数数据的采集、控制图的选用、常用的判异准则以及如何进行工序能力评价。结合实例,论证腐蚀工艺控制过程中出现失控点时的分析思路和处理方法。
赵金茹王春栋秦永伟李俊
关键词:SPC控制图
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