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王宇东
作品数:
32
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供职机构:
北京师范大学
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相关领域:
金属学及工艺
电子电信
理学
一般工业技术
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合作作者
廖斌
北京师范大学
张旭
北京师范大学
罗军
北京师范大学
吴先映
北京师范大学
欧阳晓平
北京师范大学
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半导体探测器
机构
32篇
北京师范大学
作者
32篇
廖斌
32篇
王宇东
31篇
张旭
29篇
吴先映
29篇
罗军
20篇
欧阳晓平
4篇
何卫峰
2篇
韩然
1篇
周晗
1篇
肖天庆
年份
6篇
2019
9篇
2018
1篇
2017
16篇
2016
共
32
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一种制备聚四氟乙烯电路板的方法和设备
本发明公开了一种基于离子束技术在聚四氟乙烯基底表面沉积超高结合强度的金属膜层及电路板的制备方法和设备;沉积超强结合力的金属膜层的制备方法包括:金属“注入+扩散层”和金属膜层;其中,该金属“注入+扩散层”的制备方法包括:利...
廖斌
王宇东
罗军
张旭
吴先映
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一种针对超厚TiN膜层保持超硬特性同时提高韧性的制备方法
本发明公开了一种制备超厚以及韧性高的TiN方法,其中,制备该TiN膜方法包括:采用金属阴极真空磁过滤沉积系统(FCVA),在工件表面利用高能大束流金属离子束对工件进行清洗;然后采用金属真空蒸汽离子源方法(MEVVA),在...
廖斌
王宇东
姜其立
张旭
罗军
吴先映
文献传递
一种离子束双过滤沉积技术制备手机屏幕抗划伤氧化铝涂层的方法
本发明公开了一种在玻璃上沉积Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>膜的方法及适用于手机屏幕表面镀膜。其中,具体涉及一种磁过滤等离子体沉积法制备Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜技术...
廖斌
欧阳晓平
罗军
张旭
吴先映
王宇东
文献传递
在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器
本发明公开了一种在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器,其中,该在多晶CZT上沉积DLC膜的方法包括:采用磁过滤阴极真空弧沉积方法,在多晶CZT的晶体表面沉积第一层DLC膜;在所述第一层DLC膜之上,采用磁...
廖斌
欧阳晓平
王宇东
吴先映
张旭
罗军
文献传递
一种在活塞环表面快速沉积DLC膜层的设备及方法
本发明公开了一种在活塞环表面快速沉积DLC膜层的设备及方法,该设备包括:离子注入系统,用于纵向均匀注入离子流;真空室,其一端与离子注入系统密封连接,另一端密封连接有宽束磁过滤沉积系统的一端,宽束磁过滤沉积系统的另一端设置...
廖斌
欧阳晓平
罗军
张旭
吴先映
韩然
王宇东
文献传递
一种提高航天继电器中推动杆部件寿命的方法和设备
本发明公开了一种提高密封继电器推动杆部件寿命的方法及设备,该方法是利用低能离子束技术在推动杆部件其中推动球表明沉积超硬耐磨且绝缘性能好的膜层,制备该膜方法包括:采用金属真空蒸汽离子源方法(MEVVA),在玻璃表面注入一层...
廖斌
欧阳晓平
罗军
张旭
吴先映
王宇东
一种多能量离子束在钢衬底上沉积非晶金刚石厚膜的方法
使用多能量离子束在钢衬底上沉积厚度20μm以上非晶金刚石膜的方法,属于硬质耐磨涂层制备领域。本发明的目的是使用磁过滤阴极孤沉积技术,通过在靶上加脉冲负偏压得到多能量的混合离子束,降低薄膜内应力,在低温下,在钢衬底制备出具...
张旭
侯庆艳
廖斌
王宇东
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一种高效磁过滤等离子体沉积制备DLC厚膜方法
一种厚度超过30微米金属碳化(Metal Carbide)镶嵌的类金刚石(Diamond-like Carbon)MC/DLC膜制备的方法,属于硬质耐磨涂层制备领域,具体涉及一种磁过滤等离子体沉积法制备MC/DLC厚膜技...
廖斌
欧阳晓平
罗军
张旭
吴先映
王宇东
一种离子束双过滤沉积技术制备手机屏幕抗划伤氧化铝涂层的方法
本发明公开了一种在玻璃上沉积Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>膜的方法及适用于手机屏幕表面镀膜。其中,具体涉及一种磁过滤等离子体沉积法制备Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜技术...
廖斌
欧阳晓平
罗军
张旭
吴先映
王宇东
在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器
本发明公开了一种在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器,其中,该在多晶CZT上沉积DLC膜的方法包括:采用磁过滤阴极真空弧沉积方法,在多晶CZT的晶体表面沉积第一层DLC膜;在所述第一层DLC膜之上,采用磁...
廖斌
欧阳晓平
王宇东
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