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一种微系统相变微冷却方法及装置: 本发明涉及一种微系统相变微冷却方法及装置，微冷却装置包括微换热器、封装基板、3D芯片基板，3D芯片基板和微换热器分别安装在封装基板的正反面，在3D芯片基板内阵列形式排布多个3D堆栈芯片；封装基板为单层结构，内部设有集/分...; 魏涛钱吉裕黄豪杰崔凯

应用于MCM-C/D的减薄抛光工艺被引量：3: 2021年; 混合型多芯片组件(MCM-C/D)研制技术具有共烧陶瓷技术高密度多层互连集成和薄膜电路高精度和高可靠性等优点,是目前先进实用的混合集成技术。共烧多层基板的总厚度差(TTV)和表面粗糙度是影响共烧多层基板在多芯片组件(MCM)中应用的关键因素。选取低温共烧陶瓷基板,研究了减薄抛光工艺对基板的作用机理,结合实际加工要求选择不同目数砂轮和适当的减薄工艺参数对基板进行减薄。然后对减薄后的基板进行抛光,通过合理的抛光转速和抛光压力得到了低TTV和低表面粗糙度的基板。采用测厚仪测量了减薄前后基板5点不同位置的厚度,得到了其TTV;采用3D光学轮廓仪测量抛光后基板表面粗糙度,并研究了不同工艺条件下抛光速率的影响。当抛光压力为42 kPa、抛光转速为50 r/min的条件下,获得良好的抛光质量与较高的抛光速率,基板粗糙度不超过15 nm, TTV不超过5μm。最后通过剥离工艺在基板表面制备了高精度薄膜金属线条,验证了减薄抛光工艺参数的合理性,适用于高密度多层基板表面芯片集成互连的需求。; 谢迪李浩侯清健崔凯胡永芳; 关键词：低温共烧陶瓷

面向硅通孔(TSV)的高深宽比薄膜沉积技术进展及应用: 近年来,以硅通孔(TSV,Through-Sil icon-Via)为核心的先进封装技术是三维集成领域的发展趋势和研发热点.与之相关制造技术也得到了快速发展.由于TSV特征尺寸的限制,传统的薄膜制备技术难以满足目前新型功...; 谢迪王从香崔凯; 关键词：芯片封装

高深度通孔TSV转接板成孔工艺研究: 2025年; 文中针对硅基微流道等硅通孔(Through Silicon Via,TSV)转接板应用中兼容基板厚度和层间电互连的需求,开发厚度超过500μm的通孔TSV转接板制备工艺,突破高深度通孔刻蚀的关键工艺技术。制备的TSV转接板的孔径为80μm,深度超过500μm,深宽比超过6∶1,且垂直度大于89.85°,同时能够将侧壁粗糙度控制在250 nm以内。基于该成孔工艺制备的TSV转接板具有良好的膜层均匀性和电互连效果,能够满足高机械强度、高腔深、低成本的TSV转接板的应用需求。; 高浩张伟强顾玥王一丁李浩王越飞崔凯; 关键词：刻蚀

一种HTCC基板化学镀挂具及使用其进行化学镀的方法: 本发明提供了一种HTCC基板化学镀挂具及使用其进行化学镀的方法，所述HTCC基板化学镀挂具包括挂杆和基板固定架；所述基板固定架包括边框和基板固定杆；所述边框包括一条与水平方向平行的第一横杆和两条垂直于水平方向的纵杆，所述...; 张眯王从香陶然崔凯侯清健李浩胡永芳徐金玉

多层共烧陶瓷表层光刻工艺技术要求: 本标准规定了多层共烧陶瓷表层光刻工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及多层共烧陶瓷表层光刻工艺的典型工艺流程、工序技术要求、检验要求等详细要求。本标准适用于多层共烧陶瓷表层光刻工艺。; 主要李浩崔凯张眯王从香孙兆军严伟胡永芳纪乐周建华

基于微系统IPD工艺的功分网络制造技术被引量：1: 2021年; 集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)具有高集成度、高精度、高可靠性的优势,在射频微波领域极具应用前景,但薄膜多层电路及高精度电阻制作是限制其广泛应用的关键问题。文中基于IPD技术设计制作了毫米波Wilkinson带状线功率分配/合成器,通过薄膜多层技术实现了2层苯并环丁烯(BCB)介质、3层布线的多层结构,最小线宽和线距皆为20μm。通过反应磁控溅射方法在BCB介质表面制备了50Ω/□和100Ω/□的TaN高精度薄膜电阻。片上集成的功分网络的工作频率为30-40 GHz,频带内各个端口的回波损耗为-15dB,插入损耗为(4.6±0.2)dB。该研究突破了硅基薄膜多层高密度布线技术,制作了功分器并对其进行了测试,为射频微系统无源网络一体化集成提供了有效的解决方案。; 崔凯李浩谢迪张兆华齐昆仑孙毅鹏; 关键词：功分器

纳米银双面烧结SiC半桥模块封装技术被引量：2: 2023年; 为满足雷达阵面高功率密度的需求,SiC宽禁带半导体器件在电源模块应用中逐步取代传统硅功率器件。传统焊接及导电胶粘工艺存在导电性能差、热阻大、高温蠕变等缺点,无法发挥SiC功率器件高结温和高功率的优势。纳米银烧结是大功率器件最合适的界面互连技术之一,具有低温烧结高温使用的优点和良好的高温工作特性。文中针对高功率电源模块大电流传输对低压降及高效散热的需求,基于高功率半桥电源模块开展了SiC芯片的纳米银双面烧结工艺技术研究,突破了成型银焊片制备、纳米银焊膏高平整度点涂、无压烧结等关键技术,并通过烧结界面微观分析以及芯片剪切强度和焊片剥离强度测试对烧结工艺参数进行了优化。最后对半桥模块进行了静态测试和双脉冲测试。该模块的栅极泄漏电流<1.5 n A,开关切换时间<125 ns,漏极电压过冲<12.5%,满足产品应用需求。; 张兆华孟伟崔凯胡永芳; 关键词：无压烧结

大尺寸微波多芯片组件微组装过程变形研究: 2023年; 文中针对大尺寸多通道高集成微波多芯片组件在微组装过程中的变形情况开展研究。结果表明:壳体焊接基板后,壳体底面向组件腔体方向内凹,最大变形量相当于底面厚度的6.9%;组件密封后,壳体底面向腔体内凹的程度减小,最大变形量相当于底面厚度的3.0%;精铣底面后,壳体平面度趋好,最大变形量不超过底面厚度的1.2%,满足组件安装和高效散热需求;组件机械开盖二次封盖后,壳体底面变形从向腔体内凹转变为向底面外凸,最大变形量小于底面厚度的1.5%。组件二次封盖后不再采取措施,组件安装和高效散热要求仍能得到保障。; 夏海洋韩宗杰崔凯王越飞; 关键词：微波多芯片组件大尺寸微组装平面度

混合基板表面前处理工艺研究: 2024年; 基于氮化铝高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics,HTCC)厚薄膜混合基板的结构特点和工艺流程,通过探究分析混合基板表面研磨抛光后的微观状态,文中揭示了抛光后基板表面富氮疏松层的存在及附着力下降的机理,研究和优化了氮化铝HTCC厚薄膜混合基板制造工艺,创新性地在前处理工艺中增加离子束刻蚀处理,从而有效消除了基板表面抛光引入的疏松层和表面残留的有机物污染,为表面薄膜布线提供了良好的界面。经过优化前处理工艺的基板表面导体附着力得到大幅提升,制作出的混合基板全部通过3M610附着力胶带考核,表面导体焊接拉脱附着力超过79.43 N,有效解决了混合基板工程化应用过程出现的导体膜层脱膜问题。; 李浩王济乾高浩张伟强崔凯; 关键词：离子束刻蚀附着力

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崔凯