宋林伟
- 作品数：31 被引量：23H指数：3
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学文化科学更多>>
- 一种用于碲镉汞液相外延用石墨舟磨合的自动化装置
- 本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延用石墨舟磨合的自动化装置，包括位于工作台面上的底座夹具单元、磨合行程控制单元、磨合力度控制单元和喷淋单元以及位于其正面的总控制器；磨合行程控制单元、磨合力度控制单元和自动喷淋单元分别与总...
- 杨岸宋魏华宋林伟李达毛旭峰木胜万志远向学文杨翔杨之光
- 文献传递
- 一种金掺杂液相外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法
- 本发明提供了一种金掺杂碲镉汞外延材料电学性能稳定性控制方法。本发明针对金掺杂液相外延碲镉汞材料热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体中扩散导致金掺杂碲镉汞外延材料电学参数不受控的问题，其方法包括：在金掺杂碲镉汞材料液相外延生长前...
- 孔金丞宋林伟吴军李东升黄元晋王文金王志斌陈姗黄蓓陶丽明姬荣斌
- 文献传递
- 可自动取片的水平推舟式碲镉汞液相外延用石墨舟及方法
- 本发明提供了一种可自动取片的水平推舟式碲镉汞液相外延用石墨舟及方法，该石墨舟包含盖板、工字块、滑块、垫块和基座；滑块用于放置垫块，液相外延生长时衬底放置于垫块上；基座、滑块、工字块、盖板四个部分从下向上依次组装在一起；工...
- 宋林伟孔金丞万志远李达李培源毛旭峰杨岸宋魏华朱辉陆骏
- 文献传递
- 基于VLPE技术的碲镉汞p-on-n双层异质结材料与器件研究进展
- 2024年
- 本文对比分析了碲镉汞p-on-n器件四种制备方式的优劣,其中,VLPE(Vertical Liquid Phase Epitaxy)技术具有原位As掺杂与高激活率的技术优势,是制备高性能p-on-n双层异质结器件的重要方式。针对该技术,从材料生长、器件工艺和器件性能方面回顾了国内外研究进展,讨论了国内外差距,明确了制约该技术发展的关键问题和技术难点,并提出了解决思路。最后,展望了VLPE技术pon-n异质结器件的发展趋势。
- 王文金孔金丞起文斌张阳宋林伟吴军赵文俞见云覃钢
- 关键词：碲镉汞
- 一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具
- 本发明公开了一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具。该抛光夹具为圆柱形，包括置片块和配重块；置片块和配重块用螺纹连接，置片块上表面中心位置设置有作为片槽的凹陷区域，该区域的四周设置有弧形槽；凹陷区域为正四边形，其四条边中...
- 宋林伟孔金丞王静宇洪雁赵增林马震宇雷晓红木迎春杨洪文姬荣斌
- 文献传递
- 可自动取片的水平推舟式碲镉汞液相外延用石墨舟及方法
- 本发明提供了一种可自动取片的水平推舟式碲镉汞液相外延用石墨舟及方法，该石墨舟包含盖板、工字块、滑块、垫块和基座；滑块用于放置垫块，液相外延生长时衬底放置于垫块上；基座、滑块、工字块、盖板四个部分从下向上依次组装在一起；工...
- 宋林伟孔金丞万志远李达李培源毛旭峰杨岸宋巍华朱辉陆骏
- 高工作温度中波红外碲镉汞焦平面研究
- 2023年
- 该文报道了昆明物理研究所高工作温度中波红外碲镉汞焦平面探测器器件的研究情况。通过优化焦平面器件结构参数,采用As离子注入形成p-on-n平面结器件技术,在液相外延生长的高质量原位In掺杂的碲镉汞薄膜上制备了阵列规格为640×512@15μm的中波红外焦平面探测器。利用变温杜瓦测试了焦平面芯片在不同工作温度下的光谱响应、器件暗电流、噪声等效温差、有效像元率以及盲元分布等,测试结果表明器件具备180K以上工作温度的能力。
- 覃钢秦强何天应宋林伟左大凡杨超伟李红福李轶民孔金丞赵鹏赵俊
- 关键词：中波红外碲镉汞噪声等效温差
- 一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具
- 本发明公开了一种适用于碲镉汞外延薄膜表面的抛光夹具。该抛光夹具为圆柱形，包括置片块和配重块；置片块和配重块用螺纹连接，置片块上表面中心位置设置有作为片槽的凹陷区域，该区域的四周设置有弧形槽；凹陷区域为正四边形，其四条边中...
- 宋林伟孔金丞王静宇洪雁赵增林马震宇雷晓红木迎春杨洪文姬荣斌
- 过冷度对液相外延HgCdTe薄膜厚度均匀性的影响被引量：2
- 2019年
- 探索了一种准确测量过冷度的实验方法,并在此基础上,利用光学显微镜、傅里叶红外透射光谱仪、台阶仪、白光干涉仪等测试手段分析了过冷度对Hg Cd Te薄膜厚度均匀性的影响.研究结果表明,过冷度小于2℃,薄膜容易出现中心凹陷、四周凸起的现象;过冷度大于3℃,薄膜中心将会明显凸起,出现宽度为毫米级的周期性起伏,并伴随有crosshatch线产生.当过冷度为2. 5℃时,薄膜厚度极差可缩小至0. 5μm,0. 5 mm×0. 5 mm范围内薄膜相对于衬底的粗糙度增加量为9. 07 nm.
- 陆骏李东升吴军万志远宋林伟李沛张阳孔金丞
- 关键词：碲镉汞过冷度液相外延
- 碲锌镉衬底表面在碲镉汞液相外延工艺中的热腐蚀效应被引量：5
- 2018年
- 该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显微镜、白光干涉仪、能谱仪等分析测试手段对碲锌镉衬底表面进行分析.研究结果表明,液相外延生长过程中,高温汞蒸气对碲锌镉衬底中表面沉淀物尺寸无明显影响,但在衬底表面发现两种类型的腐蚀点,一种是尺寸为25μm左右的较大腐蚀点,分布较均匀;另一种是尺寸为7μm左右的圆形腐蚀点,分布不均匀.衬底经过液相外延薄膜成核生长前的温度变化过程以及高温Hg蒸气的作用,碲锌镉衬底表面形貌呈鱼鳞状,粗糙度增大了50%以上.
- 宋林伟吴军孔金丞李东升张阳李沛杨翔万志远黄元晋木胜
- 关键词：液相外延粗糙度
