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李爱珍

作品数：25 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 9篇激光
  • 9篇激光器
  • 8篇分子束
  • 8篇分子束外延
  • 6篇半导体
  • 5篇量子级联
  • 5篇分子束外延生...
  • 5篇半导体材料
  • 4篇多量子阱
  • 4篇探测器
  • 4篇量子级联激光...
  • 3篇多量子阱结构
  • 3篇量子阱结构
  • 3篇光电
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇光谱
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇红外

机构

  • 25篇中国科学院

作者

  • 25篇李爱珍
  • 7篇陈建新
  • 7篇张永刚
  • 7篇林春
  • 6篇郑燕兰
  • 5篇李伟
  • 5篇齐鸣
  • 4篇李存才
  • 4篇赵智彪
  • 4篇杨全魁
  • 4篇陈意桥
  • 3篇胡建
  • 3篇任尧成
  • 2篇南矿军
  • 1篇刘家洲
  • 1篇常勇
  • 1篇李耀耀
  • 1篇魏林
  • 1篇朱诚
  • 1篇王晓光

传媒

  • 12篇第五届全国分...
  • 9篇第六届全国分...
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2002
  • 9篇2001
  • 2篇2000
  • 12篇1999
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GSMBE中红外量子级联激光器的热特性测量分析
本文对GsMBE生长的中红外波段量子级联激光器的热特性进行了系统的测量分析,并给出了测量结果.
张永刚南矿军李爱珍
关键词：量子级联激光器热特性分子束外延生长
文献传递
AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱被引量：2
2000年
用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽，AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分，多量子阱中的阱数等，来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度。
郑燕兰李爱珍林春李存才胡建
关键词：激光器光致发光谱
优质AlGaAsSb材料的MBE生长与特性
郑燕兰李爱珍林春杨全魁李存才胡建
关键词：MBE生长
带内跃迁和带间跃迁中红外半导体光源研究
本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的研究结果.文中对国际上中红外半导体光源进展进行了简单评述.
李爱珍李存才胡建徐刚毅张永刚林春郑燕兰李华李耀耀魏林朱诚
关键词：分子束外延量子级联激光器量子阱激光器
文献传递
中远红外波段量子级联和多量子阱半导体激光器结构
李爱珍陈建新杨全魁
关键词：量子阱半导体激光器
GaN光电导型紫外光电探测器
张永刚李爱珍齐鸣李伟赵智彪
关键词：GAN光电探测器
气态源分子束外延生长InAsP/InGaAsP应变NQW 1.3μ m激光器结构
李爱珍陈意桥齐鸣陈建新
关键词：INASP/INGAASP激光器
厚膜GaN衬底上的GaN生长及特性研究
用多种生长方法相结合的方法来降低GaN基材料与异质衬底之间的大失配问题,是提高材料质量的重要方法.本文介绍了原膜GaN衬底上的GaN生长方法,并用双晶X射线衍射仪及紫外一可见光栅光谱仪对所得材料进行了表征测量.
任尧成李伟李存才李爱珍
关键词：GAN半导体材料
文献传递
AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱
用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数，如多量子阱中AlGaAsSb/InGaAsSb的阱宽，AlGaAsSb/InG...
郑燕兰李爱珍
关键词：激光器
文献传递
应变InAsP/InGaAsP多量子阱结构及其变温光荧光谱
陈意桥李爱珍陈建新
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共3页<123>
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