张彤晖
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 射频功率对Si薄膜微观结构及电学性能的影响
- 2014年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同射频功率的Si薄膜,并对其进行真空退火处理。研究了射频功率和退火处理对薄膜微观结构和电学性能的影响,并总结了不同电场环境对薄膜原子排列有序度的影响规律。结果表明:随射频功率的增加,Si薄膜的非晶结构无实质改变,但其少子寿命明显增强;经800℃真空退火处理后,Si薄膜的微观结构均由非晶态转变为晶态,晶化程度达60%以上,且少子寿命达到20μs以上。
- 郝娟蒋百灵杨超董丹张彤晖
- 关键词：SI薄膜射频功率微观结构少子寿命
- 正反欧姆区间伏安特性对TiN薄膜微观结构及性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用脉冲控制模式将气体放电伏安特性由磁控溅射离子镀的"正欧姆"区间引入到"反欧姆"区间,并在不同靶电流密度下制备了TiN薄膜。研究了正反欧姆区间伏安特性对薄膜微观结构及性能的影响。结果表明:在靶电流密度(I_(td))大于0.2 A·cm^(-2)的反欧姆区间,薄膜具有良好的表面质量和致密程度;且薄膜的硬度和膜/基结合强度分别由正欧姆区间I_(td)为0.11A·cm^(-2)的9.9 GPa、4.5 N提升到反欧姆区间I_(-td)为0.38 A·cm^(-2)的25.8 GPa、18 N。
- 郝娟蒋百灵杨超冯林张彤晖
- 关键词：TI
- 正反欧姆区间伏安特性对镀层均匀性及膜/基结合强度的影响被引量：1
- 2016年
- 将靶材与真空腔之间的伏安特性引入正-反欧姆过渡区间,采用脉冲控制模式研究不同靶电流密度对镀层均匀性和膜/基结合强度的影响规律。实验发现,当靶面放电区电流密度(Id)由0.083 A/cm^2增加至0.175 A/cm^2时,靶电压随靶电流密度的增大呈线性增大关系,与之对应的镀层厚度差由7.984μm增大至14.011μm;但当Id由0.175 A/cm^2增大至0.25 A/cm^2时,靶电压随靶电流密度的增大呈线性减小关系,与之对应的镀层厚度差则由14.011μm减小至10.077μm;而薄膜厚度减小率由97.38%(Id=0.083 A/cm^2)降低为89.491%(Id=0.25 A/cm^2);另外,在反欧姆区,膜/基结合强度随Id的增大而快速增大。以上结果表明:反欧姆环境下有利于改善镀层的均匀性和提高膜/基结合强度。
- 冯林蒋百灵杨超郝娟张彤晖
- 关键词：磁控溅射离子镀伏安特性
