巩会玲
- 作品数：3 被引量：22H指数：2
- 供职机构：南昌大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- SiO_2添加物对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的微观结构与介电性能的影响被引量：9
- 2009年
- 采用传统固相反应法制备了不同SiO2掺量的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料,并研究了SiO2含量对CCTO陶瓷物相结构、微观形貌及介电性能的影响。结果表明:高温烧结时,SiO2不会与CCTO发生固相反应,而作为第二相物质存在于CCTO陶瓷的晶界,并对CCTO陶瓷的微观结构产生不同程度的影响。CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随SiO2含量的增多而相应减小。阻抗分析表明,CCTO陶瓷的晶粒电阻随SiO2的掺入略有改变,而晶界电阻则随SiO2的掺入而显著增大。分析认为,晶界电阻的增大是导致CCTO陶瓷介电损耗降低的主要原因。
- 李旺巩会玲刘宇刘兵发刘桂华杜国平
- 关键词：CACU3TI4O12介电性能微观结构
- Mg^(2+)和Sr^(2+)掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷微观结构与介电性能的影响被引量：14
- 2009年
- 采用固相反应法分别制备了Mg2+及Sr2+掺杂的Ca1-xMgxCu3Ti4O12和Ca1-xSrxCu3Ti4O12(x=0、0.1、0.2)陶瓷,利用XRD和SEM分别对陶瓷的物相结构和微观形貌进行了分析,并对其介电性能进行了测试。结果表明,Mg2+的掺杂易引起CaCu3Ti4O12(CCTO)化学计量比的偏失,同时陶瓷的致密化程度受到影响,介电常数也显著降低。而Sr2+的掺杂不仅对CCTO陶瓷物相结构影响不大,而且可以促进陶瓷晶粒的长大,并有效降低了CCTO陶瓷的烧结温度。当Sr2+掺杂量为0.2、测试频率在1k-2.5kHz时,介电常数为104左右,介电损耗在0.05-0.1之间,介电综合性能比纯CCTO陶瓷有所提高。
- 巩会玲李旺杜国平李颖毅刘桂华万军花
- 关键词：掺杂介电性能微观结构
- CaCu_3Ti_4O_(12)-ZnNb_2O_6复合材料的介电逾渗及固相反应
- 2009年
- 以低εr的ZnNb2O6为基体,以高εr的CaCu3Ti4O12(CCTO)为增强体,研究了CCTO-ZnNb2O6复合材料体系的介电逾渗行为以及高温下的固相反应。结果表明:当CCTO体积分数超过51.0%时,εr突然跃迁,达到5600,表现为介电逾渗。CCTO与ZnNb2O6在900℃以上会发生固相反应,生成Cu0.5Ti0.5NbO4、CaNb2O6、Zn2TiO4及一种与CCTO衍射峰相似、晶格常数比CCTO略大的未知物质,分析认为该未知物质是Nb5+取代CCTO中部分Ti4+而形成的固溶体。
- 梁晓军巩会玲李旺黄伟军刘宇
- 关键词：复合材料CACU3TI4O12固相反应跃迁
