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张光春

作品数:6 被引量:14H指数:2
供职机构:江南大学理学院更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇电池
  • 6篇太阳电池
  • 2篇硅太阳电池
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇电池性能
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻率
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅太阳电...
  • 1篇选择性发射极
  • 1篇有机太阳电池
  • 1篇有源层
  • 1篇有源层厚度
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子寿命
  • 1篇少数载流子
  • 1篇少数载流子寿...
  • 1篇少子寿命

机构

  • 6篇江南大学
  • 3篇江苏省(尚德...
  • 1篇无锡尚德电力...

作者

  • 6篇李果华
  • 6篇张光春
  • 3篇施正荣
  • 2篇王振交
  • 2篇季静佳
  • 1篇吴文娟
  • 1篇吴甲奇
  • 1篇席曦
  • 1篇严慧敏
  • 1篇陈肖静
  • 1篇孟庆蕾
  • 1篇顾晓峰
  • 1篇张松
  • 1篇钱俊
  • 1篇赵素香
  • 1篇贾琰
  • 1篇艾凡凡

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2014
  • 4篇2012
  • 1篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
PECVD沉积双层SiN_x对太阳电池性能的影响被引量:4
2012年
提出了一种简单有效的制备双层SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的减反射钝化特性。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,通过控制SiH4和NH3气体流量比,在p型多晶硅衬底上生长单层及双层SiNx膜。随后使用薄膜测试分析仪测量了薄膜的厚度、折射率及反射率,并用Semilab WT-2000测量少数载流子寿命,通过测量量子效率,对单、双层膜电池进行了比较。实验结果表明:相比单层减反射钝化膜,采用双层SiNx膜,少数载流子寿命可以得到更好的改善,开路电压可提高约2 mV,短路电流可提高约40 mA,电池效率能提高0.15%。
凡金星施正荣张光春杨健陈如龙李果华
关键词:等离子体增强化学气相沉积减反射膜太阳电池少数载流子寿命
晶体硅片上激光打孔的研究被引量:2
2012年
背面接触太阳电池越来越多地被人们关注,这种电池增加了使用激光器在硅片上打孔工艺。选用了半导体激光器作为光源在晶体硅片上进行打孔实验。通过调节激光器的功率、离焦量、脉冲重复频率等参数并分析其对打孔的影响。在激光打孔后,对硅片使用显微镜测试来分析打孔大小、形貌和损伤区,并优化打孔的参数。通过实验证实孔的入孔直径和出孔直径都随激光能量的增大而增大。随着离焦量的增大,出孔直径先增大后减小,且出孔直径越大时孔附近的破坏区域越小。脉冲重复频率的变化由于影响激光能量而影响孔径。另外,脉冲重复频率过大时,激光能量仍然比较大,但却打不穿硅片。
钱俊张光春杨健陈如龙李果华王玉林
关键词:激光打孔脉冲能量离焦量重复频率太阳电池
多晶硅太阳电池双面钝化的研究
降低多晶硅太阳电池背表面少子复合速率,提高少子寿命,采用了多晶硅太阳电池双面钝化结构.实验采用SiO2/SiNx 叠层膜作为双面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成背面局部接触.经过快速热处理,少子寿命有明显的提升.实验结果显...
赵素香季静佳施正荣张松王振交李果华朱海东吴文娟陈如龙杨健张光春
关键词:多晶硅太阳电池
基于CuPc/C60 的有机异质结太阳电池有源层厚度组合优化及研究
有机太阳电池而言,材料吸收光子后产生激子,激子在施主/受主界面处被分离成电子和空穴,完成光电转换过程.然而激子的扩散长度非常短,这就要求有机有源层厚度不能厚,以有利于激子向施主/受主界面扩散.但是当有机有源层厚度太薄时又...
席曦李果华陈肖静吴甲奇孟庆蕾陈如龙杨健张光春季静佳施正荣
关键词:有机太阳电池光干涉
电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究
2014年
近年来,P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定,N型太阳电池逐渐走向产业化。基于N^NP+型铝背结单晶硅太阳电池,研究了电阻率为1~5.5Ωcm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别,可以有效的节省成本。通过选用不同电阻率的N型硅片,经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池,采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源I-V测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量。实验结果表明:虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高,但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异。
贾琰王振交严慧敏张光春李果华
关键词:电阻率少子寿命方块电阻电池性能
氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池被引量:8
2009年
本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩最终实现选择性发射极。丝网印刷腐蚀浆料开窗相对于激光熔融、等离子刻蚀和光刻等方法,具有高的产量、设备投资和运营成本低等优势,容易在现有生产线上实现。最后对比了选择性发射极晶体硅太阳电池和常规太阳电池的电性能和光谱响应,制备的选择性发射极晶体硅太阳电池的短波响应优于常规晶体硅太阳电池,效率提高了0.3%。
艾凡凡张光春顾晓峰李果华汪义川杨健陈如龙贾积凯张杰黄治国
关键词:晶体硅太阳电池选择性发射极PECVD
共1页<1>
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