高鹏飞
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 新型复合显影金属剥离工艺的研究被引量：2
- 2020年
- 金属剥离工艺因其精确的线宽控制,低晶体损伤等优点,广泛应用于半导体光电器件电极制作工艺中。表面异物残留是影响金属剥离工艺质量的主要因素。本文分析了残留物形成的原因和机理,开发了复合显影金属剥离工艺,通过改进顶层光刻胶胶型,改善了顶层光刻胶侧壁金属膜致密性。显著降低了>5μm尺寸的缺陷数量,总缺陷数量较常规金属剥离工艺降低了87.5%,提高了金属剥离工艺质量。
- 刘浩高鹏飞郝腾张立影赵雪娟
- 关键词：接触角
- 半导体激光器及半导体激光器侧泵模块
- 本发明提供了一种半导体激光器及半导体激光器侧泵模块，属于激光器技术领域，包括绝缘水冷板、多个激光器单元、正极引出板、负极引出板和固定组件。正极引出板穿设于绝缘水冷板与正电极板之间且设有两个连通孔，具有第一露出部，沿预设方...
- 王媛媛孙奕涛高鹏飞孙芮房玉锁杨红伟
- 文献传递
- 氩稀释无氨氮化硅薄膜的制备被引量：3
- 2016年
- 氮化硅(SiNx)薄膜是一种广泛应用于半导体光电器件的介质膜,其性质的优劣直接影响器件的性能。使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜含有大量氢,应用于某些光电器件时,会导致器件工作时光电特性不稳定。针对此问题研发了一种使用SiH4与N2作为反应气体,Ar作为稀释气体的工艺方法,即无氨工艺。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,通过研究各工艺参数对薄膜性能的影响,制备出了一种含氢量低的氮化硅薄膜。通过傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)测试了无氨工艺制备的氮化硅薄膜的含氢量,和使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜相比含氢量明显降低。
- 赵润高鹏飞刘浩李庆伟何刚
- 半导体激光器及半导体激光器侧泵模块
- 本发明提供了一种半导体激光器及半导体激光器侧泵模块，属于激光器技术领域，包括绝缘水冷板、多个激光器单元、正极引出板、负极引出板和固定组件。正极引出板穿设于绝缘水冷板与正电极板之间且设有两个连通孔，具有第一露出部，沿预设方...
- 王媛媛孙奕涛高鹏飞孙芮房玉锁杨红伟
- DFB激光二极管光栅层的研究与制备
- 2020年
- 分布反馈(DFB)半导体激光器是现代光通信系统及红外探测中核心光源器件,外延结构一般由光栅材料层和量子阱材料层两大部分组成,其中光栅材料层中Bragg光栅制作质量的好坏对器件阈值和单模特性有直接影响。本文通过使用电子束光刻技术制作了高质量的Bragg光栅,较全息光刻技术所制光栅占空比均匀性由14.3%提高到了2.9%,改善了光栅材料层的质量,阈值电流标准差由0.47降至0.32,边模抑制比标准差由5.26降至0.72,提高了器件一致性,单片成品率提高了近10%。
- 刘浩姚文港赵润郝腾高鹏飞
- 关键词：BRAGG光栅电子束光刻全息光刻分布反馈激光器
