秦霞
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
- 供职机构：武汉理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：武汉市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 钽镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅铁电薄膜性能的影响被引量：2
- 2015年
- 采用溶胶–凝胶工艺在Pt/Ti/Si O2/Si基片上,通过引入钽镁酸钡[Ba(Mg1/3Ta2/3)O3,BMT]缓冲层,制备了锆钛酸铅[Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT]铁电薄膜。研究了BMT缓冲层对PZT铁电薄膜结晶和性能的影响。结果表明:引入BMT缓冲层利于PZT薄膜的生长;PZT薄膜具有钙钛矿结构,且没有裂纹、结晶良好、致密性好;缓冲层的厚度对PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性能有重要影响。随BMT缓冲层厚度增加,PZT晶粒增大,介电损耗tanδ逐渐减少,介电常数εr和剩余极化强度Pr先增大后减少,矫顽场Ec先减少后增大。当BMT缓冲层厚约为10 nm时,PZT薄膜具有最优的铁电性能:εr=1 850,Pr=20.2μC/cm2,Ec=43.9 k V/mm。这与BMT与PZT具有相似的晶格常数、较小的晶格失配度和相近的禁带宽度有关。
- 梁雄毅吴智秦霞周静祁琰媛
- 关键词：缓冲层铁电性能
