王雨桐
- 作品数：16 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 应用于太赫兹频段的电调衰减电路及电调衰减器
- 本发明适用于电调衰减器技术领域，提供了一种应用于太赫兹频段的电调衰减电路及电调衰减器，该电调衰减电路包括：多指FET器件和射频传输线；多指FET器件中的多指两侧的漏极与射频传输线连接。本发明通过多指FET器件与射频传输线...
- 王雨桐孟范忠张贞鹏陈艳薛昊东汪璐
- 340 GHz同相双探针转换结构设计与实现
- 2021年
- 为解决Y波段功率芯片输出功率过小和功率合成网络损耗过大等问题,本文对340 GHz双探针转换结构进行研究,提出紧凑型同相双探针转换方案,波导短路面附近设置谐振腔以提高转换效率,以期实现340 GHz高性能双探针转换结构,为同频段功率合成等研究提供参考。
- 郑俊平李光福王雨桐
- 一种微带探针转换器
- 本发明公开了一种微带探针转换器，包括盒体；第一波导腔；第二波导腔，第二波导腔和第一波导腔相对设置在盒体内；基底，基底的第一端伸入到第一波导腔内，基底的第二端伸入到第二波导腔内；芯片电路，芯片电路设置在基底上，芯片电路包括...
- 郑俊平方园吴洪江林勇孟范忠张贞鹏卢军廷王雨桐薛昊东
- 文献传递
- 一种三次谐波混频器电路
- 本发明公开了一种三次谐波混频器电路，其特征在于，包括：本振信号单元、偏压信号单元、混频单元、中频信号单元和射频信号单元；所述偏压信号单元的输入端用于接收偏压信号，所述偏压信号单元的输出端连接所述本振信号单元的第二输入端；...
- 孟范忠方园林勇张贞鹏吴洪江郑俊平卢军廷王子青王雨桐陈艳薛昊东
- 应用于太赫兹频段的电调衰减电路及电调衰减器
- 本发明适用于电调衰减器技术领域，提供了一种应用于太赫兹频段的电调衰减电路及电调衰减器，该电调衰减电路包括：多指FET器件和射频传输线；多指FET器件中的多指两侧的漏极与射频传输线连接。本发明通过多指FET器件与射频传输线...
- 王雨桐孟范忠张贞鹏陈艳薛昊东汪璐
- 文献传递
- 低噪声放大器
- 本发明公开了一种低噪声放大器，涉及太赫兹电路技术领域，包括放大电路、输入电路、输出电路、输入偏置电路、输出偏置电路和RC并联电路；输入电路的输出端分别连接放大电路的输入端和输入偏置电路的一端，输入偏置电路的另一端连接Vg...
- 王雨桐刘永强刘如青
- 文献传递
- 一种开关电路及开关芯片
- 本发明公开了一种开关电路及开关芯片，包括：至少一路开关通道模块；所述开关通道模块包括至少三个开关管单元和一条传输线；所述传输线的第一端为所述开关通道模块的输入端，所述传输线的第二端为所述开关通道模块的输出端；所述传输线上...
- 王雨桐孟范忠林勇薛昊东
- 文献传递
- 单刀双掷开关电路、控制方法及芯片
- 本发明提供一种单刀双掷开关电路、控制方法及芯片。该单刀双掷开关电路，包括第一开关支路和第二开关支路，第一开关支路的第一端与第二开关支路的第一端连接并构成单刀双掷开关电路的公共端，第一开关支路的第二端构成单刀双掷开关电路的...
- 王丹阳许春良刘会东刘志军李远鹏李富强张滨陈月盈杨柳徐伟王雨桐马瑞刘卫乾
- F频段三倍频放大多功能芯片设计与实现被引量：1
- 2019年
- 基于InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款F频段三倍频放大多功能芯片。将三倍频器与驱动放大器级联,实现了F频段三倍频放大的单片集成。前端三倍频器电路由输入匹配电路、输入低通滤波电路、并联二极管对、输出高通滤波电路与输出匹配电路构成,通过反向并联二极管对实现三次倍频,在优化匹配前后级电路的同时,通过输入低通滤波器与输出高通滤波器滤除三次谐波外的基波与各次谐波。后端所级联的驱动放大器采用四级管芯级联的双电源拓扑结构来提高增益及输出功率。测试结果表明,输入频率为30~47 GHz、输入功率为15 dBm时,输出频率为90~141 GHz,输出功率大于6 dBm,输入回波损耗小于-13 dB,输出回波损耗小于-6 dB。芯片尺寸为4.40 mm×1.60 mm×0.07 mm。
- 薛昊东吴洪江王雨桐
- 关键词：多功能芯片
- 一款130～140 GHz MMIC低噪声放大器被引量：5
- 2017年
- 基于90 nm栅长的InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作于130~140 GHz的MMIC低噪声放大器(LNA)。该款放大器采用三级级联的双电源拓扑结构,第一级电路在确保较低的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声,后两级则采用最大增益的匹配方式,保证了放大器具有良好的增益平坦度和较小的输出回波损耗。在片测试结果表明,在栅、漏极偏置电压分别为-0.25 V和3 V的工作条件下,该放大器在130~140 GHz工作频带内噪声系数小于6.5 dB,增益为18 dB±1.5 dB,输入电压驻波比小于2∶1,输出电压驻波比小于3∶1。芯片面积为1.70 mm×1.10 mm。该低噪声放大器有望应用于D波段的收发系统中。
- 王雨桐吴洪江刘永强
- 关键词：磷化铟
