- 一种硅片水平生长设备和方法
- 本发明公开一种硅片水平生长设备和方法,该硅片水平生长设备包括外壳,形成腔体;坩埚,位于所述腔体中,具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面;入料组件,向所述熔料区加入硅原料,且加料速率可调;加热组件,包括两个可移动的加...
- 丁建宁袁宁一徐嘉伟沈达鹏徐晓东孙涛王书博
- 文献传递
- 硅片水平提拉成型设备热场结构
- 本实用新型涉及一种硅片水平提拉成型设备热场结构,包括炉体以及设置在炉体内的底座石墨和钳锅,钳锅设置在底座石墨的上端,钳锅的两侧经石墨钩子与底座石墨固定连接,钳锅上形成硅晶熔融区以及温度控制区,硅晶熔融区和温度控制区相通,...
- 丁建宁沈达鹏袁宁一徐晓东
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- 本发明涉及一种硅片水平提拉成型设备热场结构,包括炉体以及设置在炉体内的底座石墨和钳锅,钳锅设置在底座石墨的上端,钳锅的两侧经石墨钩子与底座石墨固定连接,钳锅上形成硅晶熔融区以及温度控制区,硅晶熔融区和温度控制区相通,钳锅...
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- 一种硅片水平生长设备和方法
- 本发明公开一种硅片水平生长设备和方法,该硅片水平生长设备包括外壳,形成腔体;坩埚,位于所述腔体中,具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面;入料组件,向所述熔料区加入硅原料,且加料速率可调;加热组件,包括两个可移动的加...
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- 水平固体表面温度梯度下硅油液滴运动被引量:5
- 2017年
- 液滴的操控技术成为当今微流体技术的重要发展方向,气-液、气-固、固-液等界面问题日益突出。首先通过实验方法,研究了在水平固体表面液滴由温度梯度引起的热毛细迁移行为,从理论方面分析了温度梯度、接触角滞后作用对液滴迁移速度的影响。然后通过数值模拟方法求解N-S方程耦合能量方程,获得硅油液滴运动过程内部温度场和流场的变化过程。结果表明:当基底存在温度梯度时,液滴在基底表面会向冷端迁移,并伴随着接触角滞后现象,表面张力梯度作用使液滴内部产生两个涡胞,涡胞的发展影响液滴的迁移过程,两个涡胞发展为单个涡胞,液滴迁移速度趋于稳定。
- 孙涛姜存华沈达鹏丁建宁袁宁一
- 关键词:微流体温度梯度接触角