李雪飞
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：河北工业大学电子信息工程学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- PMMA栅绝缘层表面形貌对并五苯OTFT性能的影响
- 2015年
- 影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的作用,会直接影响有源层材料的分子排列方式和整个器件的性能。以氧化铟锡(ITO)导电薄膜玻璃为衬底材料,采用溶液旋涂的工艺制备聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有机绝缘层,采用真空蒸镀的方法制备并五苯有源层及源-漏银电极。通过对比不同退火条件下PMMA绝缘栅层表面形貌及粗糙度,制备适合有源层生长的绝缘层表面,得到较好的PMMA栅绝缘层/并五苯有源层界面接触。实验表明,PMMA栅绝缘层经退火后所制备的器件场效应迁移率提高到2.52×10-3 cm2/(V·s),阈值电压降低到-11.5 V,获得了性能较好的OTFT。
- 李雪飞王伟王帅石晓东
- 关键词：栅绝缘层迁移率
