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朱红伟

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：河南理工大学物理与电子信息学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇热边界条件
  • 1篇仿真
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件

机构

  • 1篇河南理工大学
  • 1篇四川大学

作者

  • 1篇陈星
  • 1篇石峰
  • 1篇王昊
  • 1篇朱红伟

传媒

  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
半导体器件多物理场计算中的热边界条件被引量：2
2016年
基于半导体器件的物理模型,联立并求解由电磁场、半导体物理及热力学方程构成的多物理场方程组,实现半导体器件及电路的电磁效应计算。为了更加准确地仿真半导体器件的温度变化,深入研究了多物理场计算中的热边界条件。以肖特基二极管HSMS-282c为例,采用多物理场算法仿真并对比了器件在相同激励(幅值为2V的阶跃脉冲)、不同边界条件下的温度变化情况。实际测量了器件在正向偏置下的表面温度,并于多物理场计算结果进行对比。结果表明,采用热对流边界可以准确仿真半导体器件的热效应。
王昊石峰朱红伟陈星
关键词：半导体电路热边界条件仿真
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共1页<1>
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