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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
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  • 1篇低温度系数
  • 1篇电压
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  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇BICMOS
  • 1篇BICMOS...

机构

  • 1篇南开大学

作者

  • 1篇梁科
  • 1篇刘畅
  • 1篇王锦
  • 1篇李国峰
  • 1篇林长龙
  • 1篇郭振义
  • 1篇孙帅

传媒

  • 1篇南开大学学报...

年份

  • 1篇2016
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
一种基于BICMOS工艺的低温度系数带隙基准电压源被引量:1
2016年
提出了一种高精度带隙基准电压源,电路采用了与温度成正比的电压补偿二极管压降的负温度特性,得到了与温度无关的基准电压源,并且利用双二极管串联模式提高了带隙结构的精度,并给出了计算和分析.电路采用0.5μm BICMOS工艺实现,仿真的结果表明,在3.3 V电压下,电路的功耗为25μW,在温度-40-125℃范围内,输出的电压为1.239 V,温度系数为10 ppm/℃.
郭振义林长龙刘畅孙帅梁科王锦李国峰
关键词:电压基准BICMOS低温度系数
共1页<1>
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