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硅粉在鞘区内的纯化速率模型被引量：2: 2006年; 分析了粉粒在反应区的沉降过程,导出了沉降的最大速度及时间的公式,给出了离子在不同位置上的平均动能及粒子通量.还对高能中性粒子在鞘区内的行为进行了详细的分析并得出在不同位置上的平均动能和通量.它可用于计算空间不同位置处包括离子和高能中性粒子的刻蚀速率,计算结果表明高能中性粒子在很大的空间范围内其刻蚀作用大于离子.在阴极电压为2 300 V的情况下,一次沉降的最大刻蚀量可达50层原子、刻蚀速率1.1×1016/(cm2.s-1),这对粉粒在等离子体中的表面刻蚀和纯化都具有一定的意义.; 许淑慧王敬义冯信华陈正强; 关键词：离子刻蚀阴极鞘层

粉体纯化装置及工艺研究被引量：6: 2005年; 根据硅粉纯化的要求,提供了一种长落程和高反应速率的冷等离体反应器。工艺参数的选择着重于增大鞘层厚度、提高反应粒子浓度和控制抽气速率,因此,能有效的提高纯化反应的速率、粉料的回收率和粉粒一次沉降的时间。实验结果表明:该设备能将纯度为99%的工业硅纯化为约99.99%的太阳级硅。; 王敬义尹盛陶甫廷吴京波冯信华苏睿许淑慧陈正强陈文辉罗文广

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陈正强