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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇电路
  • 1篇电压源设计
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比
  • 1篇占空比
  • 1篇自适
  • 1篇自适应
  • 1篇斜坡补偿
  • 1篇斜坡补偿电路
  • 1篇脉宽调制
  • 1篇基准源
  • 1篇PSRR
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇补偿电路

机构

  • 2篇贵州大学

作者

  • 2篇程刚
  • 1篇杨发顺
  • 1篇秦水介
  • 1篇丁召
  • 1篇白忠臣
  • 1篇郝红蕾
  • 1篇王超
  • 1篇刘娇
  • 1篇刘雪飞

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇电子设计工程

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种降压型DC-DC变换器动态斜坡补偿电路的设计被引量:4
2013年
提出了一种新型动态斜坡补偿方法,解决了在PWM峰值电流模式下工作的降压型DC-DC变换器在占空比大于50%时出现次谐波振荡的问题。该方法可以随着占空比的变化而实时调节补偿斜率。电路通过tsmc018rf CMOS工艺仿真,结果表明,固定输出电压为1.8V,对输入电压从2.5V到3.5V扫描时,补偿斜率逐渐减小;同样地,固定输入电压为3.3V,对输出电压从2.5V到1.6V扫描,补偿斜率逐渐增大。仿真结果验证了该方法的可行性。
刘雪飞丁召郝红蕾程刚刘娇杨发顺
关键词:自适应占空比脉宽调制
一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计被引量:1
2013年
介绍一种基于CSMCO.5μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。Spectre仿真分析结果表明:在-40~100℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7mV,在低频时达到100dB以上的电源抑制比(PSRR),整个电路功耗仅仅只有30μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
程刚白忠臣王超秦水介
关键词:带隙基准源电源抑制比PSRR
共1页<1>
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