张家奇
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国石油大学（北京）理学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程更多>>
- Ni纳米线的化学还原法可控制备被引量：1
- 2015年
- 利用化学还原法制备了Ni纳米线,通过扫描电子显微镜（SEM）研究了制备参数（磁场强度、Ni 2＋离子浓度和反应温度）对Ni纳米线合成以及结构的影响。实验结果表明：磁场强度是影响Ni纳米线直径均匀性的关键因素。无外加磁场时所制得的产物为Ni纳米颗粒;当磁场强度达到0.25 T时,纳米线的长度较长,直径较均匀。Ni 2＋离子浓度决定着纳米线直径的大小。Ni 2＋浓度越低,直径越小。反应温度影响成核以及纳米线的表面形貌。当温度低于50℃时,溶液中没有纳米线生成,说明溶液没有反应;当反应温度在60~80℃范围内时,纳米线的表面均有明显的刺状结构;当温度高于85℃时,纳米线表面的刺状结构数目明显减少,形成了光滑的表面。
- 张家奇刘春萌刘圆赵重阳相文峰赵昆唐炼
- 关键词：NI纳米线化学还原法磁场强度表面形貌
- 微结构对单根Ni/NiO核壳纳米线器件阻变性能的影响被引量：2
- 2017年
- 通过化学还原和热处理的方法制备出了具有核壳结构的Ni/NiO纳米线,利用扫描电子显微镜、X射线衍射、热重分析等手段对不同退火温度下的样品进行了结构表征和分析,分析了样品微结构对单根Ni/NiO纳米线器件阻变性能的影响。结果表明:随着退火温度的升高,Ni/NiO纳米线表面逐渐光滑,NiO薄膜层结晶度提高,NiO平均粒径逐渐增大,氧化层也逐渐变厚。I-V测试曲线表明,在300℃退火条件下,单根Ni/NiO纳米线器件展现出优异的阻变性能,开关比大,开关阈值电压小;但随着温度的升高,单根Ni/NiO纳米线器件阻变性能明显下降,其原因可能是因为退火温度的进一步升高导致了NiO薄膜层厚度的增加并提高了薄膜的结晶质量阻碍了导电细丝在NiO层内的产生造成的,只有在适当温度处理下出现的微结构才能使Ni/NiO纳米线器件具有最优化的阻变性能。
- 刘圆相文峰张家奇胡明皓赵昆钟寿仙
- 关键词：微结构退火温度
- Zn∶NiO纳米线的制备及其光催化活性被引量：3
- 2015年
- 通过化学还原法及退火处理制备出了锌掺杂的氧化镍(Zn∶NiO)纳米线。用扫描电子显微镜、X射线衍射以及能量色散谱对纳米线的结构和组分进行了测试与分析。测试结果显示:所制备的Zn∶NiO纳米线不含其他杂质,为面心立方结构的纯相晶体。纳米线尺寸均匀,直径约为300 nm,长度约为100μm。同时,纳米线表面生长着细小的尖刺结构。以氙灯为照射光源,研究了Zn∶NiO纳米线对于降解甲基橙染料的光催化活性。研究结果表明:Zn∶NiO纳米线具有良好的光催化活性,在进行光催化5 h后甲基橙的降解率约为58%。
- 赵重阳相文峰张家奇王爱军赵昆张万松
- 关键词：化学还原法光催化活性甲基橙
