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毛焜

作品数：13 被引量：6H指数：2
供职机构：成都信息工程大学更多>>
发文基金：四川省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇导通
  • 5篇导通电阻
  • 5篇电阻
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇多晶硅栅
  • 5篇双通道
  • 5篇埋层
  • 5篇硅栅
  • 5篇比导通电阻
  • 5篇LDMOS器...
  • 3篇电子发射
  • 3篇通信
  • 3篇通信光纤
  • 3篇金属
  • 3篇光电
  • 3篇光电效应
  • 3篇光电子
  • 3篇光电子发射
  • 3篇光开关

机构

  • 13篇成都信息工程...

作者

  • 13篇毛焜
  • 5篇姚尧
  • 3篇彭映杰
  • 3篇王海时
  • 2篇王天宝
  • 2篇李英祥
  • 2篇陈娇
  • 2篇杨燕
  • 2篇李珂
  • 1篇聂海
  • 1篇郭栗
  • 1篇赵斌
  • 1篇聂海
  • 1篇米磊

传媒

  • 2篇成都信息工程...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 6篇2018
  • 1篇2017
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种采用光驱动控制的MEMS光开关
本发明公开了一种采用光驱动控制的MEMS光开关，包括第一基片、第二基片；第一基片上集成有通信光纤、移动式微反射镜、静电执行器，所述静电执行器包括一对电极；第一基片与第二基片相键合后在所述第一基片与第二基片之间形成一密闭腔...
杨光瑶毛焜
一种日志显示方法、系统及计算机可读存储介质
本发明提供了一种日志显示方法、系统及计算机可读存储介质，包括，根据显示时间段的设置显示，显示日志图标及时间轴；所述时间轴横向或纵向设置；每一个所述日志图标代表一条日志，日志图标在时间轴上的对应位置对应日志的时间戳；识别鼠...
王海时丁健李莎莎郭栗张洪波赵斌彭映杰毛焜
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一种智能检测电路及智能检测方法
本发明提供了一种智能检测电路及智能检测方法。所述电路包括恒流源子电路、标准电流对比子电路、负载电流检测电路、标准电流检测电路、故障判断电路、声光报警子电路、电力切换子电路。本发明主要用于纯感性负载设备的电力供应前检测，能...
王海时李珂陈娇彭映杰李英祥毛焜杨燕王天宝
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一种用于感性设备的检测和保护电路
本实用新型提供了一种用于感性设备的检测和保护电路。所述电路包括恒流源子电路、标准电流对比子电路、负载电流检测电路、标准电流检测电路、故障判断电路、声光报警子电路、电力切换子电路。本实用新型主要用于纯感性负载设备的电力供应...
李珂陈娇王海时彭映杰李英祥毛焜杨燕王天宝
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一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法
本发明公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，深N阱...
毛焜姚尧
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一种无运放低温系数带隙基准源被引量：3
2017年
为产生一个低温度系数的基准电源,设计一种无运算放大器的带隙基准电路。通过对晶体管基射级电压进行高阶温度补偿的方式,产生具有更低温度系数的基准电压。其中二阶温度补偿电路采用MOS管,PTAT电流由电流镜实现,省掉运算放大器,节省芯片面积。电路采用0.5μm BCD工艺进行仿真。在5.8 V供电电源下、-40℃~150℃的温度内,得到基准电压为1.26~1.262 V,温度系数为8.07×10-6/℃。
米磊毛焜聂海
关键词：温度系数
一种高能注入埋层双通道LDMOS器件及其制造方法
本发明公开了一种高能注入埋层双通道LDMOS器件及其制造方法，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，从深N阱的顶部至内部依次形成有P型帽层和至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形...
毛焜姚尧
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一种采用光驱动控制的MEMS光开关
本发明公开了一种采用光驱动控制的MEMS光开关，包括第一基片、第二基片；第一基片上集成有通信光纤、移动式微反射镜、静电执行器，所述静电执行器包括一对电极；第一基片与第二基片相键合后在所述第一基片与第二基片之间形成一密闭腔...
杨光瑶毛焜
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一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法
本发明公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，深N阱...
毛焜姚尧
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一种高能注入埋层双通道LDMOS器件
本实用新型公开了一种高能注入埋层双通道LDMOS器件，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，从深N阱的顶部至内部依次形成有P型帽层和至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+...
毛焜姚尧
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