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朱青

作品数：44 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 25篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 21篇势垒
  • 19篇势垒层
  • 11篇栅宽
  • 7篇电极
  • 7篇栅电极
  • 7篇散热
  • 7篇散热能力
  • 6篇对接
  • 6篇迁移率
  • 6篇外延层
  • 6篇无缝对接
  • 6篇刻蚀
  • 6篇沟道
  • 6篇二极管
  • 5篇异质结
  • 5篇氯基
  • 5篇金刚石
  • 5篇刚石
  • 4篇钝化层
  • 4篇平坦度

机构

  • 44篇西安电子科技...

作者

  • 44篇朱青
  • 41篇马晓华
  • 30篇张濛
  • 23篇郝跃
  • 21篇侯斌
  • 21篇杨凌
  • 18篇武玫
  • 6篇马佩军
  • 3篇张鹏
  • 2篇王冲
  • 2篇王平
  • 1篇李苗

年份

  • 6篇2024
  • 3篇2023
  • 18篇2022
  • 8篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于超临界流体处理工艺的多沟道HEMTs及制备方法
本发明涉及一种基于超临界流体处理工艺的多沟道HEMTs及制备方法，制备方法包括：在衬底层表面依次生长缓冲层、多沟道异质结结构和帽层，多沟道异质结结构包括层叠的至少两个二维电子气沟道结构；在靠近衬底层的二维电子气沟道上方制...
朱青郭思音陈怡霖张濛宓珉瀚祝杰杰马晓华
基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法
本发明涉及一种基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法，该器件包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；沟道层，位于缓冲层上；源极，位于沟道层的一端；漏极，位于沟道层的另一端；插入层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之...
张濛郭思音马晓华陈怡霖宓珉瀚朱青
一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法，器件包括：衬底层；GaN缓冲层，设置在所述衬底层上；背靠背势垒层，设置在所述GaN缓冲层上，所述背靠背势垒层中的Al组分自上而下由x递增到y、再由y递减到...
宓珉瀚马晓华杜翔王鹏飞周雨威安思瑞龚灿张濛朱青郝跃
一种N面GaN基CMOS器件及其制备方法
本发明提供的一种N面GaN基CMOS器件及其制备方法，通过在Si衬底上外延生长GaN缓冲层以及p‑GaN/AlGaN/GaN异质结，通过光刻选区刻蚀固定区域的p‑GaN层，随即将p‑GaN刻蚀凹槽区用绝缘介质填充。完成上...
武玫牛雪锐侯斌杨凌张濛朱青王冲马晓华郝跃
一种n型氧化镓p型金刚石的MPS二极管及其制备方法
本发明提供的一种n型氧化镓‑p型金刚石的MPS二极管及其制备方法，采用更容易制备的p型金刚石代替难以实现的p型氧化镓形成异质PN结，阳极与外延层材料接触位置采用阵列式二阶倾斜凹槽结构，相比于常规的凹槽结构减小了材料接触处...
武玫杨凌贾富春王雨晨侯斌张濛朱青马晓华郝跃
基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括自下而上设置的衬底、GaN材质的缓冲层、势垒层、介质层以及顶部散热层，还包括：源电极、漏电极以及栅电极；其中，在水平方向上，所述...
马晓华程可武玫朱青张濛侯斌杨凌郝跃
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基于插指状p型掺杂金刚石的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于插指状p型掺杂金刚石的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括自下而上设置的衬底、中间层和介质层；中间层包括势垒层以及缓冲层；源、漏、栅电极分别穿过介质层与势垒层接触；中间层沿栅宽方向刻蚀有...
马晓华武玫程可朱青张濛侯斌杨凌郝跃
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基于实时监控开栅结构参数的阈值电压可控型GaN基增强型器件的制备方法
本发明公开了一种基于实时监控开栅结构参数的阈值电压可控型GaN基增强型器件的制备方法，主要解决现有技术不能精确控制阈值电压的问题。其制作过程包括：在衬底基片上，自下而上依次生长GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层...
马晓华侯斌季子路朱青祝杰杰杨凌郝跃
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一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法
本发明涉及一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法，包括：选取半导体层；在半导体层上制备具有栅脚区的第一光刻胶层；在第一光刻胶层和栅脚区上制备金属层；在金属层上制备具有栅帽区的第二光刻胶层，栅帽区通过光刻曝光显...
张鹏李苗朱青马晓华刘加志
基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括衬底、中间层和介质层；中间层包括势垒层和缓冲层；源、漏、栅电极穿过介质层与势垒层接触；中间层沿栅宽方向刻蚀有插指型凹槽，插指型凹槽...
武玫马晓华程可朱青张濛侯斌杨凌郝跃
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