杨卫涛
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法
- 本发明公开了一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法，别是瞬时剂量率效应。利用系统级封装内部不同子芯片的IBIS模型和版图布线的电气特性，通过信号完整性仿真检测各集成电路中敏感引脚、敏感网络和信号响应；并给出了...
- 贺朝会李洋李永宏赵浩昱魏佳男童大银杨卫涛
- 文献传递
- 片上存储器单粒子翻转效应诊断及修复被引量：1
- 2017年
- 研究了Zynq-7000片上存储器(OCM)的单粒子翻转效应(SEU),进行了SEU的诊断设计,可以及时诊断出OCM中发生SEU的具体位置以及具体数据位,能够实现对发生于OCM中的单位翻转和多位翻转诊断;进行了SEU修复的设计,可以准确地修复OCM中发生的SEU。能够利用较少的空间资源占用和运行时间实现OCM中SEU百分之百的诊断和修复。
- 杨卫涛贺朝会杜雪成申帅帅
- 关键词：ZYNQ-7000片上存储器
- Cadence法解析SRAM多单元翻转机制
- 2020年
- 通过软件模拟解释了SoC静态随机存储器单粒子实验中发现的多单元翻转以及物理地址存在固定差值的现象。采用Cadence软件设计了3X3 SRAM阵列及必要的外围电路;分析比较了串联和并联理想电流源替代单粒子瞬态电流脉冲的局限性,提出了一种新的电路结构来修正理想电流源串联引发的错误;采用软件模拟方法实现了多位翻转和多单元翻转仿真,分析认为多位翻转和多单元翻转可以通过外围电路进行相互转换,实验所用SoC存储器具有较好的抗多位翻转性能。
- 李洋贺朝会李永宏杨卫涛魏佳男
- 关键词：静态随机存储器单粒子效应
- 纳米数字集成电路电磁辐射效应仿真研究
- CMOS反相器是纳米数字集成电路的重要组成部分,其对电磁辐射的敏感程度较高。利用Sentaurus-TCAD器件仿真建立了CMOS反相器的三维结构,将电磁辐射效应等效为电磁脉冲(Electromagnetic Pulse...
- 李永宏白雨蓉贺朝会郭沣锐杨卫涛何欢李洋
- 关键词：CMOS反相器闩锁效应热损伤
- 文献传递
- 28 nm SoC单粒子效应辐照实验研究进展
- 针对28 nm工艺Xilinx Zynq—7000 SoC,首次在国内开展了散裂中子、中能质子和重离子微束单粒子效应辐照实验。在散裂中子辐照时,获得了片上存储器、一级数据缓存和块存储器模块的单粒子效应敏感性。在中能质子辐...
- 杨卫涛贺朝会郭刚李洋李永宏殷倩史淑廷蔡莉张付强胡志良梁天骄王松林周斌
- 关键词：SOC存储器单粒子效应
- 文献传递
- 一种多用途电子设备辐照效应测试的屏蔽装置
- 一种多用途电子设备辐照效应测试的屏蔽装置，尤其适用于加速器辐照实验当中，该装置包括主体支架底座、两个侧面固定支架、带沟槽长方体体条、无沟槽长方体条、用于形成开口的小滑块以及固定螺丝。本实用新型装置将在可改变间距的侧面固定...
- 贺朝会杨卫涛曹煜赵浩昱郭亚鑫李永宏
- 文献传递
- 一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法
- 本发明公开了一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法，别是瞬时剂量率效应。利用系统级封装内部不同子芯片的IBIS模型和版图布线的电气特性，通过信号完整性仿真检测各集成电路中敏感引脚、敏感网络和信号响应；并给出了...
- 贺朝会李洋李永宏赵浩昱魏佳男童大银杨卫涛
- 文献传递
- 数字锁相环的单粒子瞬态效应仿真设计
- 本文分析了数字锁相环(Digital Phase Locked Loop,DPLL)各构成模块工作原理,利用Verilog 语言进行了数字锁相环设计,基于Questasim 软件进行了数字锁相环的仿真验证。设计故障注入模...
- 杨卫涛贺朝会杜雪成樊云云袁媛
- 关键词：VERILOG
- 28nm Xilinx Zynq-7000系统芯片单粒子效应研究进展被引量：3
- 2017年
- 以Xilinx公司的28nm系统级芯片(system-on-chip,SoC)Zynq-7000为研究对象,开展了α单粒子效应实验和低能质子单粒子效应实验,测得了系统级芯片的α单粒子效应敏感模块、单粒子效应截面及不同模块质子单粒子效应截面随能量变化的关系曲线。采用软件故障注入技术获得了系统级芯片多个功能单元的敏感单元以及故障表现类型,并且通过建立系统芯片软错误故障树,定量计算了系统芯片及其各功能单元的故障率和不可用度,确定了系统和子系统中的敏感模块。
- 杜雪成贺朝会刘书焕张瑶李永宏杨卫涛任晓堂
- 关键词：系统芯片单粒子效应Α粒子质子
- 芯片化继电保护装置中SoC配置存储器失效评估
- 2024年
- 随着先进工艺SoC在继电保护领域越来越受重视,一些此前在该领域中未曾考虑过的问题亦引起研究人员的注意,如环境中高能粒子入射或者芯片封装中α粒子发射导致的先进工艺SoC单粒子效应问题。相较于传统继电保护系统,具有更高集成度、更强大运算能力和更小体积的SoC芯片化继电保护装置,在就地保护和分散式保护需求较高的线路中更具优势。虽然近年来基于ZYNQ SoC的芯片化继电保护装置快速推进,但已有研究和应用中均未考虑芯片化继电保护装置中ZYNQ SoC配置存储器的失效及加固处理问题,尤其是配置存储器单粒子效应可能导致继电保护装置功能失效,无法达到保护的目的。本文以一款可用于芯片化继电保护装置的ZYNQ SoC为研究对象,采用软件故障注入的形式(分别基于SEM IP核和DPR两种方式进行了软件故障注入)评估了系统配置存储器发生单粒子效应时的可靠性。同时,结合失效模式与效应分析方法对两者的故障注入结果进行了对比、分析,指出针对芯片化继电保护装置中ZYNQ SoC配置存储器,采用DPR的设计比采用SEM IP核的设计失效程度更低。
- 余昊周华良周华良邹志杨苏战涛杨卫涛邹志杨
- 关键词：片上系统继电保护单粒子效应失效模式与效应分析
