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冯涛

作品数:86 被引量:207H指数:8
供职机构:华东师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>

文献类型

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领域

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主题

  • 26篇纳米
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  • 13篇传感
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机构

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作者

  • 86篇冯涛
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传媒

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年份

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  • 3篇2003
  • 5篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇1989
  • 1篇1986
86 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
空气氧化法对纳米碳管场发射性能的影响(英文)被引量:2
2007年
以镍金属为催化剂,在600℃条件下,采用化学气相沉积法(CVD)制备碳纳米管。将制得的碳纳米管用高能球磨法处理0.5~1h后,以空气氧化法进行提纯,并研究了氧化温度对碳纳米管形貌和场发射性能的影响。用扫描电镜、Raman光谱分别对300~500℃的氧化提纯后的碳纳米管的形貌和结构进行了表征。结果表明:碳纳米管的场发射性能随温度的升高而升高,经400~450℃加热10min后,非晶碳成分减少,碳管纯度得到提高,场发射性能达到最高;当氧化温度继续升高时,碳纳米管的缺陷密度增大,非晶化程度增加,场发射特性变差。因此,通过控制氧化温度可以有效提高碳纳米管的纯度和场发射性能。
张哲娟孙卓张燕萍杨介信冯涛陈奕卫
关键词:碳纳米管场发射球磨
HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究被引量:1
2006年
利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨。此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路。
蒋军冯涛张继华戴丽娟程新红宋朝瑞王曦柳襄怀邹世昌
关键词:碳纳米管场发射碳化铪
低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜被引量:3
2004年
 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。
江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平
关键词:离子束辅助沉积
一种新型基于纳米TiO_2薄膜的电子纸器件(英文)被引量:1
2009年
近年来,在电致变色领域基于甲基紫精修饰高比表面积的纳米TiO2薄膜电极取得了巨大的进步,并将这项技术推向商业化。本文介绍了一种由有机变色分子修饰纳米晶TiO2薄膜电极而组装成的电致变色器件,通过"嫁接"在甲基紫精分子上的磷酸基和纳米TiO2薄膜电极表面的羟基化学吸附,我们得到了具有良好电致变色性能的"电子纸"。本文采用的电解质是0.05mol/L的高氯酸锂和0.05mol/L的二茂铁的1,4丁内酯溶液,对电极为透明导电玻璃。实验证明该电致变色器件具有很高的稳定性,并达到了毫秒级的响应速度,在未来显示领域"电子纸"的商业化进程中具有很大的潜力。
李天军陈奕卫丁慧林丽锋钱敏潘丽坤孙卓冯涛
关键词:电致变色纳米电极
新型太阳能自驱动电子纸器件单元模块及制备方法
本发明涉及电子纸器件技术领域,特别是一种自驱动的有机-无机电致变色的电子纸器件的单元模块,其特征在于单元模块设有如下结构:阴极导电玻璃的下导电薄膜上设“口”字形刻蚀区域,在“口”字形外的下导电薄膜上依次设能量存储膜层和太...
李天军冯涛孙卓陈奕卫
有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装被引量:18
2003年
利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20~180℃的基板温度范围和10~30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和Si/N比相应增加,而沉积速率和H含量相应减少;随着射频功率的增加,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si/N比相应增加,而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃,所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件(OLED)的封装。
黄卫东王旭洪盛玫徐立强Frank Stubhan罗乐冯涛王曦张富民邹世昌
关键词:有机发光器件氮化硅薄膜等离子体化学气相沉积封装OLED
离子束辅助沉积铂碳混合膜及其抑制栅电子发射性能被引量:1
2008年
采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜。XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向。Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态。模拟二极管的实验表明,在纯钼阳极上镀覆铂碳混合膜,其抑制热电子发射的性能明显优于纯钼阳极。
江炳尧冯涛王曦柳襄怀
关键词:离子束辅助沉积
晶体管控制纳米管场发射显示阵列及其实现方法
本发明涉及了一种将晶体管和碳纳米管场发射显示阵列集成在一起的结构,以及实现这种结构的方法。其特征在于将晶体管的漏同时作为碳纳米管场发射显示阵列的阴极,再在该漏上制作碳纳米管场发射显示阵列,以达到利用晶体管优良的电流控制特...
张继华杨文伟董业民王曦于伟东冯涛
文献传递
离子束辅助沉积铂-碳混合膜的工艺方法
本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂-碳混合膜,即在溅射沉积铂-碳混合膜的同时,由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大而迅速增大的特点,通过调节辅助轰击氩离和剂量,精确控制铂-碳混合膜的铂/碳成份比。本发明易在...
江炳尧冯涛王曦柳襄怀
文献传递
三色碳纳米管场发射灯的研制
报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到~1V/μm,场发射电流密度在...
冯涛李琼张继华于伟东柳襄怀王曦徐静芳邹世昌
关键词:碳纳米管场发射丝网印刷法氢等离子体表面处理阴极材料
文献传递
共9页<123456789>
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