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徐超
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苏州大学
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相关领域:
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陈晨
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彭长四
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彭长四
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2017
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Be掺杂对InGaAsN/GaAs量子阱性能的提高(英文)
2017年
InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍(Be)元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移。X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN(Be)/GaAs量子阱在退火过程中的应力释放。对比退火前,退火后的没有进行铍掺杂的量子阱样品的量子阱的X射线摇摆曲线衍射峰明显向GaAs衬底峰偏移;而对于掺铍的量子阱样品而言,这样的偏移要小很多。
霍大云
石震武
徐超
邓长威
陈晨
陈林森
王文新
彭长四
关键词:
分子束外延
应变弛豫
X射线衍射
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