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侯彩霞

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇半导体
  • 5篇半导体工艺
  • 4篇光刻
  • 3篇GAN
  • 2篇导体
  • 2篇源区
  • 2篇条形半导体激...
  • 2篇腔体
  • 2篇开窗
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇光刻胶
  • 2篇厚膜
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 1篇图案
  • 1篇退火
  • 1篇气相外延
  • 1篇氢化物气相外...

机构

  • 5篇北京科技大学

作者

  • 5篇郑新和
  • 5篇李美玲
  • 5篇王瑾
  • 5篇侯彩霞

年份

  • 1篇2019
  • 4篇2017
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法
一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的N‑极性GaN作为模板，在所述模板上通过光刻工艺制作图案化的光刻胶作为掩膜层，在所述掩膜层上用T‑ALD...
刘三姐郑新和彭铭曾侯彩霞王瑾何荧峰李美玲
文献传递
一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法
一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的Ga‑极性GaN作为模板，在模板上通过光刻工艺制作图案化的聚乙烯吡咯烷酮膜为掩膜层，在所述掩膜层上用P...
刘三姐郑新和彭铭曾侯彩霞王瑾何荧峰李美玲
文献传递
脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法
本发明提供一种脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法，属于半导体工艺领域。该方法通过对GaN样品进行刻蚀，形成P‑GaN有源区脊条，在不进行去胶步骤的情况下直接使用ALD沉积一层Al薄层；再沉积一层SiO<Sub...
王瑾郑新和刘三姐侯彩霞何荧峰李美玲
一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法
本发明涉及到半导体工艺和器件领域，具体指一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法。在蓝宝石衬底上MOCVD生长N‑极性的GaN模板，在模板上制备进行极性变换的AlN，并对其进行图形制作，最后在该模板和AlN上使...
刘三姐郑新和侯彩霞王瑾何荧峰李美玲
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脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法
本发明提供一种脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法，属于半导体工艺领域。该方法通过对GaN样品进行刻蚀，形成P‑GaN有源区脊条，在不进行去胶步骤的情况下直接使用ALD沉积一层Al薄层；再沉积一层SiO<Sub...
王瑾郑新和刘三姐侯彩霞何荧峰李美玲
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