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侯彩霞
作品数:
5
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供职机构:
北京科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王瑾
北京科技大学
李美玲
北京科技大学
郑新和
北京科技大学
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氢化物气相外...
机构
5篇
北京科技大学
作者
5篇
郑新和
5篇
李美玲
5篇
王瑾
5篇
侯彩霞
年份
1篇
2019
4篇
2017
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一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法
一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法,属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的N‑极性GaN作为模板,在所述模板上通过光刻工艺制作图案化的光刻胶作为掩膜层,在所述掩膜层上用T‑ALD...
刘三姐
郑新和
彭铭曾
侯彩霞
王瑾
何荧峰
李美玲
文献传递
一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法
一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法,属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的Ga‑极性GaN作为模板,在模板上通过光刻工艺制作图案化的聚乙烯吡咯烷酮膜为掩膜层,在所述掩膜层上用P...
刘三姐
郑新和
彭铭曾
侯彩霞
王瑾
何荧峰
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脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法
本发明提供一种脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法,属于半导体工艺领域。该方法通过对GaN样品进行刻蚀,形成P‑GaN有源区脊条,在不进行去胶步骤的情况下直接使用ALD沉积一层Al薄层;再沉积一层SiO<Sub...
王瑾
郑新和
刘三姐
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何荧峰
李美玲
一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法
本发明涉及到半导体工艺和器件领域,具体指一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法。在蓝宝石衬底上MOCVD生长N‑极性的GaN模板,在模板上制备进行极性变换的AlN,并对其进行图形制作,最后在该模板和AlN上使...
刘三姐
郑新和
侯彩霞
王瑾
何荧峰
李美玲
文献传递
脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法
本发明提供一种脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法,属于半导体工艺领域。该方法通过对GaN样品进行刻蚀,形成P‑GaN有源区脊条,在不进行去胶步骤的情况下直接使用ALD沉积一层Al薄层;再沉积一层SiO<Sub...
王瑾
郑新和
刘三姐
侯彩霞
何荧峰
李美玲
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