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王智勇

作品数：29 被引量：0H指数：0
供职机构：河南科技大学更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇中文专利

领域

  • 5篇金属学及工艺
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 15篇合金
  • 9篇导电
  • 8篇电触头
  • 8篇电触头材料
  • 8篇稀土
  • 8篇触头
  • 8篇触头材料
  • 7篇导电率
  • 7篇性能要求
  • 6篇铜合金
  • 5篇电子封装
  • 5篇封装
  • 4篇氧化石墨
  • 4篇氧化石墨烯
  • 4篇氧化钇
  • 4篇增强相
  • 4篇真空
  • 4篇真空热压
  • 4篇真空热压烧结
  • 4篇石墨

机构

  • 29篇河南科技大学

作者

  • 29篇刘勇
  • 29篇田保红
  • 29篇张毅
  • 29篇安俊超
  • 29篇王智勇
  • 25篇宋克兴
  • 23篇李丽华
  • 16篇张晓辉
  • 13篇国秀花
  • 10篇王冰洁
  • 9篇柴哲
  • 9篇孙慧丽
  • 6篇任凤章
  • 6篇殷婷
  • 6篇贾淑果
  • 4篇王悔改
  • 4篇李红霞
  • 4篇张鹏飞
  • 4篇高颖颖
  • 2篇刘玉亮

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2023
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种铜基合金材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种铜基合金材料及其制备方法和应用，其基体相为铜；增强相为镍、锡、铬以及钛；以质量百分数计，其中钛含量为0.35％～0.75％，镍、锡与铬的含量之比为10:9:3；且0.3％≤Cr＜Sn＜Ni≤1％；具体的，...
周孟张毅田保红唐顺龙李丽华安俊超贾延琳李旭王智勇刘勇张志阳曹清豹徐德晔薛启明
内部多取向孪晶与析出相共存的铜镍硅合金及其制备方法
内部多取向孪晶与析出相共存的铜镍硅合金，包括以下质量百分比的组分：2.5~3.5%的Ni，0.6~0.85%的Si，0.3~0.5%的Cr，余量为铜；铜镍硅合金中含有30‑35%体积的高密度、且具有不同取向的纳米孪晶，纳...
班宜杰张毅李蕴彰周孟唐顺龙耿永锋张晓辉安俊超宋克兴王智勇贾延琳李旭刘勇田保红付明
纳米氧化石墨烯原位强化型铜铬电触头材料的制备方法
纳米氧化石墨烯原位强化型铜铬电触头材料的制备方法，先利用改进的Hummers法制备氧化石墨烯纳米片，再将铜粉、铬粉混合均匀，之后对氧化石墨烯纳米片进行超声分散，将混合好的金属粉末转移至超声分散后的氧化石墨烯悬浮液中进行机...
张毅周孟安俊超李丽华田保红宋克兴万欣娣王智勇贾延琳李旭刘勇付明张晓辉王冰洁耿永峰班宜杰张鹏飞梁胜利
文献传递
一种高铁用微合金化稀土处理钢及其制备工艺
一种高铁用微合金化稀土处理钢的制备工艺，包括将含碳量为0.19~0.22%的G20CrNi2Mo钢件置于含稀土及铝粉的熔盐中，通过熔盐中的金属原子和钢件基体中的碳、氮原子产生化学反应，扩散在钢件基体表面形成含有稀土元素的...
张毅张兴渊李丽华国秀花王悔改安俊超王智勇孙慧丽柴哲宋克兴田保红刘勇任凤章贾淑果
文献传递
一种电接触功能复合材料及其制备方法
本发明公开了一种电接触功能复合材料及其制备方法，属于电工材料制备技术领域，其基体相为氧化铝弥散分布在铜基体上形成的弥散铜；其增强相为：钼、碳化硅以及氧化石墨烯；或钼、碳化硅以及氧化钇；或钼、碳化硅以及氧化石墨烯负载氧化钇...
张毅周孟田保红朱涵静安俊超李蕴彰郑先华王智勇贾延琳李旭刘勇
一种高性能Cu-Ni-Si合金引线框架材料及其制备方法
一种高性能Cu‑Ni‑Si合金引线框架材料，包括以下重量百分比的组分：4.0～9.0%的镍、1.0～1.5%的硅、0.1～0.4%的银、0.05～0.10%的磷，余量为铜和不可避免的杂质元素。本发明的一种高性能Cu‑Ni...
张毅安俊超高直李丽华万欣娣王智勇劳晓东孙慧丽柴哲宋克兴田保红刘勇国秀花
文献传递
具有高密度孪晶与低失配度析出相的铜合金及其制备方法
具有高密度孪晶与低失配度析出相的铜合金，包括以下质量百分比的组分：1.0~1.5%的Ni，0.7~1.2%的Co，0.45~0.65%的Si，余量为铜；该铜合金中含有25~35%体积的高密度纳米级孪晶，铜合金中还均匀分布...
班宜杰张毅李蕴彰周孟唐顺龙耿永锋张晓辉安俊超宋克兴王智勇贾延琳李旭刘勇田保红付明
一种高性能Cu-Ni-Si合金引线框架材料及其制备方法
一种高性能Cu‑Ni‑Si合金引线框架材料，包括以下重量百分比的组分：4.0～9.0%的镍、1.0～1.5%的硅、0.1～0.4%的银、0.05～0.10%的磷，余量为铜和不可避免的杂质元素。本发明的一种高性能Cu‑Ni...
张毅安俊超高直李丽华万欣娣王智勇劳晓东孙慧丽柴哲宋克兴田保红刘勇国秀花
纳米氧化石墨烯原位强化型铜铬电触头材料的制备方法
纳米氧化石墨烯原位强化型铜铬电触头材料的制备方法，先利用改进的Hummers法制备氧化石墨烯纳米片，再将铜粉、铬粉混合均匀，之后对氧化石墨烯纳米片进行超声分散，将混合好的金属粉末转移至超声分散后的氧化石墨烯悬浮液中进行机...
张毅周孟安俊超李丽华田保红宋克兴万欣娣王智勇贾延琳李旭刘勇付明张晓辉王冰洁耿永峰班宜杰张鹏飞梁胜利
一种添加有稀土的多相强化型电子封装材料及其制备方法
一种添加有稀土的多相强化型电子封装材料，由以下重量百分比的组分构成：1.0～8.0%的镍，0.25～2%的硅、0.1～0.2%的铁、0.01～0.05%的磷、0.1～0.4%的镁、0.2%～0.6%的稀土元素，余量为铜和...
张毅安俊超李丽华高直高颖颖王智勇国秀花田保红刘勇付明赵转张晓辉王冰洁耿永峰班宜杰宋克兴
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