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戴中华

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学材料科学与工程学院材料研究所微结构重点实验室更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇双轴
  • 1篇锗

机构

  • 1篇上海大学

作者

  • 1篇谢耀平
  • 1篇李晓娣
  • 1篇胡丽娟
  • 1篇戴中华
  • 1篇马海涛

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
非对称双轴张应变对锗能带的影响
2017年
采用第一性原理方法系统地研究了沿(001)、(101)和(111)面施加晶面内各方向应变不相等的双轴张应变,即非对称双轴张应变对锗能带结构的影响.结果表明:对于沿(001)面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于2.95%,间接-直接带隙转变才能发生;对于沿(101)面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于3.44%,间接-直接带隙转变才能发生;然而,沿(111)面施加非对称双轴张应变,不发生间接-直接带隙转变.另外,研究还发现无论是施加对称双轴应变还是非对称双轴应变,间接-直接带隙转变得到的应变Ge带隙值都与应变前后拉伸面面积变化大小成反比.
戴中华钱一辰谢耀平胡丽娟李晓娣马海涛
关键词：第一性原理
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共1页<1>
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