王易
- 作品数：8 被引量：24H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 提高双沟道SiC MESFET性能的双缓冲层结构研究
- 利用半导体二维数值分析软件Silvaco研究了一种能提高双沟道单缓冲层4H-SiCMESFET性能的双缓冲层器件结构。二维数值仿真结果表明:双缓冲层结构的击穿电压从双沟道单缓冲层结构的136 V提高到162 V;同时截止...
- 王易邓小川
- 关键词：4H-SICMESFET
- 文献传递
- 一种带隙电压基准源
- 本发明公开了一种带隙电压基准源，包括：偏置电路、启动电路和一阶基准电路，其特征在于，还包括，温度补偿电路和误差放大器电路，所述的温度补偿电路包括第三NPN管、第一NMOS管、第五电阻、第六电阻和第七电阻。本发明的带隙基准...
- 周泽坤王会影石跃蔡小祥鲍小亮王易明鑫张波
- 一种具有阶梯状缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管
- 一种具有阶梯状缓冲层结构的MESFET，属于功率半导体器件技术领域。该器件通过刻蚀外延缓冲层，使缓冲层呈现阶梯状，进而使得在缓冲层上外延生长的有源层具有变化的沟道厚度。所述缓冲层厚度最大的部分出现在栅电极正下方，而栅电极...
- 邓小川张波王易
- 文献传递
- 一种用于LED驱动的恒流控制电路设计被引量：19
- 2012年
- 提出一种用于LED驱动的恒流控制电路,通过对一个基准电流进行放大,得到LED的输出电流;通过改变基准电流的大小,可以按比例改变输出电流的大小,即实现LED驱动的模拟调光功能。该电路对基准电流进行2 000倍的放大,基准电流可以在5～110μA的范围内变化,能满足常规LED驱动芯片模拟调光功能的要求。仿真结果表明,该电路产生的LED输出电流误差小于0.03%,对温度敏感性小,能在较大温度范围内保持正常工作,且设计了相关的修调电路,使电路的匹配性更好、精度更高。
- 王易徐祥柱黎兆宏明鑫周泽坤张波
- 关键词：LED驱动恒流控制
- 一种DC/DC斜坡补偿电路的设计被引量：5
- 2011年
- 本文提出了一种峰值电流模式控制的DC/DC转换器中斜率补偿电路。电路采用上斜坡补偿(补偿信号与采样信号叠加)方式。电路由采样电路、斜坡信号产生电路、叠加电路共同组成。采样电路采样电感电流信号,并生成一个带有采样信号信息的电流信号,输入到叠加电路,与斜坡信号产生电路生成的一个斜坡电流信号进行叠加,然后共同作于一个电阻之上,输出一个带有采样信号信息与斜坡补偿信息的电压信号,实现斜坡补偿。该信号与误差放大器的输出信号共同输入到PWM(脉冲宽度调制)比较器,两信号经比较后输出驱动信号,控制功率管的关断。
- 徐祥柱王易陈程明鑫贾鲲鹏张波
- 关键词：DC/DC电流模式电流采样
- 一种带隙电压基准源
- 本实用新型公开了一种带隙电压基准源，包括：偏置电路、启动电路和一阶基准电路，其特征在于，还包括，温度补偿电路和误差放大器电路，所述的温度补偿电路包括第三NPN管、第一NMOS管、第五电阻、第六电阻和第七电阻。本实用新型的...
- 周泽坤王会影石跃蔡小祥鲍小亮王易明鑫张波
- 文献传递
- 一种带隙电压基准源
- 本发明公开了一种带隙电压基准源，包括：偏置电路、启动电路和一阶基准电路，其特征在于，还包括，温度补偿电路和误差放大器电路，所述的温度补偿电路包括第三NPN管、第一NMOS管、第五电阻、第六电阻和第七电阻。本发明的带隙基准...
- 周泽坤王会影石跃蔡小祥鲍小亮王易明鑫张波
- 文献传递
- 提高双沟道SiC MESFET性能的双缓冲层结构研究
- 利用半导体二维数值分析软件Silvaco研究了一种能提高双沟道单缓冲层4H-SiCMESFET性能的双缓冲层器件结构。二维数值仿真结果表明:双缓冲层结构的击穿电压从双沟道单缓冲层结构的136 V提高到162 V;同时截止...
- 王易邓小川
- 关键词：振荡频率击穿特性碳化硅
- 文献传递
