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李明达

作品数：50 被引量：14H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信化学工程文化科学交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 46篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 45篇硅外延
  • 39篇外延片
  • 36篇外延层
  • 32篇硅外延片
  • 23篇硅外延层
  • 15篇三氯氢硅
  • 14篇气体
  • 14篇氯化
  • 14篇氯化氢
  • 14篇氯化氢气体
  • 13篇外延炉
  • 13篇衬底
  • 11篇掺杂
  • 7篇不均匀性
  • 6篇氢气
  • 6篇自掺杂
  • 6篇硅衬底
  • 5篇电阻率
  • 5篇晶体
  • 4篇体缺陷

机构

  • 50篇中国电子科技...

作者

  • 50篇李明达
  • 12篇陈涛
  • 11篇王文林
  • 9篇李杨
  • 5篇李扬
  • 1篇吕婷

传媒

  • 2篇电子与封装
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 6篇2024
  • 5篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 7篇2020
  • 5篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 8篇2015
  • 1篇2014
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种肖特基器件用重掺薄磷衬底上硅外延层的制备方法
本发明涉及一种肖特基器件用重掺薄磷衬底上硅外延层的制备方法,采用常压平板式外延炉,步骤包括，（1）利用纯度≥99.99%的氯化氢在高温下对外延炉基座进行抛光；（2）向外延炉内装掺磷硅衬底片，依次用纯度均≥99.999%的...
王文林高航李杨李明达
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一种双层结构硅外延片的制备方法
本发明公开了一种双层结构硅外延片的制备方法。该方法通过在基座上预先沉积致密的多晶硅、调控磷烷气体占比、主工艺氢气流量、基座转速、Slit氢气流量等综合条件，实现了对硅外延层电阻率以及均匀性的控制，片内的不均匀性从超过2....
周幸李明达王楠赵扬李普生
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一种提升光电传感器用硅外延层掺杂浓度均匀性的方法
本发明涉及一种提升光电传感器用硅外延层掺杂浓度均匀性的方法。向反应腔体内通入氢气和氯化氢气体；在外延反应基座表面覆盖一层无掺杂的多晶硅；将硅衬底片装入多晶硅上，依次利用氮气和氢气吹扫外延反应腔体；给外延反应基座加热；通入...
李明达周幸李杨
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一种提高硅外延生长速率的方法
一种提高硅外延生长速率的方法，反应腔体基座升温；通入氢气携带的气态三氯氢硅作为生长原料；用氢气将反应副产物排除；将硅衬底片装在反应腔体的基座上，基座升温；用氢气将硅衬底片和基座挥发出的各类杂质排除；氢气携带的气态三氯氢硅...
李明达居斌王楠薛兵唐发俊
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一种肖特基器件用硅外延片的制备方法
本发明涉及一种肖特基器件用硅外延片的制备方法，向硅外延炉反应腔体内通入氯化氢气体，对基座上残余沉积物质进行刻蚀；将主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入硅外延炉反应腔体，基座表面沉积一层无掺杂的致密多晶硅；将基座温度降低，向基座...
唐发俊李明达王楠赵扬
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一种阶跃恢复二极管用硅外延片的制备方法
本发明公开了一种阶跃恢复二极管用硅外延片的制备方法。该制备方法克服了现有阶跃恢复二极管用硅外延片工艺中存在的过渡区宽度的控制问题，在外延层生长过程中采用两段生长，先使用反复变流量的氢气吹扫一段时间，将杂质不断稀释排除出外...
李明达陈涛薛兵李普生
一种降低图形畸变的硅外延片的制备方法
本发明公开了一种降低图形畸变的硅外延片的制备方法。该方法通过提升主工艺氢气的流量，降低气态三氯氢硅的流量，显著降低硅外延层的生长速率，在采用常规气态三氯氢硅作为生长硅源，采用常压多片式硅外延设备的情况下实现了无图形畸变、...
李明达刘奇龚一夫傅颖洁刘云翟玥
一种6英寸重掺砷衬底上生长高阻厚层硅外延的方法
本发明涉及一种6英寸重掺砷衬底上生长高阻厚层硅外延的方法，采用常压平板式外延炉，步骤包括，（1）利用纯度≥99.99%的氯化氢在高温下对外延炉基座进行腐蚀；（2）外延炉内装入硅衬底片，依次利用纯度均≥99.999%的氮气...
王文林高航薛兵李明达
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一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法
本发明涉及一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法。将外延炉石墨基座下方的9组调节杆的刻度值分别进行设定；利用氯化氢HCl气体在高温下对外延炉基座进行刻蚀抛光；向外延炉基座片坑内装入硅衬底片，利用HCl气体对硅...
陈涛李明达薛兵白春磊殷海丰
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一种降低外延片自掺杂的方法
本发明公开了一种降低外延片自掺杂的方法。该方法在保证有小流量氯化氢气体刻蚀和高温烘焙的前提下，通过在衬底上先后设计生长两层本征，将外延片电阻率不均匀性由大于5%降低到1%以内，从而满足产品使用要求。该方法将第一层生长时间...
刘奇李明达居斌边娜刘云翟玥
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