杨静
- 作品数：12 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 硅化学腐蚀片电容法测厚与机械法测厚差异的原因分析被引量：3
- 2016年
- 在硅片厚度测量工作中,发现硅化学腐蚀片采用机械测厚和电容法测厚所得的数据存在差异,通过一系列对比实验对这一差异产生的原因进行了合理分析。首先,以硅抛光片作为对比,分别测试了硅抛光片与硅化学腐蚀片在采用两种测厚方法测厚时的数值并计算出其差值。针对这一差值,在分别对硅化学腐蚀片及硅抛光片的表面状况进行分析后,认为较粗糙和平整度较差的表面状况是造成硅化学腐蚀片采用电容法测厚与机械法测厚出现差异的主要原因。
- 田原杨静王云彪
- 关键词：硅抛光片
- 钽酸锂单晶片几何参数控制技术研究被引量：1
- 2018年
- 钽酸锂单晶材料具有良好的压电性能,是制作声表面波器件的理想衬底材料之一。该文从化学腐蚀、磨料粒径和粘蜡工艺3方面进行研究,钽酸锂单晶片的几何参数得到有效控制,最终得到了几何参数优越的钽酸锂单晶抛光片。其中总厚度变化(TTV)≤5μm,局部平整度(LTV)≤1.5μm,局部平整度合格比例(PLTV)≥95%,翘曲度(Warp)≥20μm,弯曲度(Bow)≤10μm,达到了商用钽酸锂单晶片的技术水平。
- 杨洪星王雄龙杨静范红娜李明佳
- 关键词：钽酸锂化学腐蚀研磨抛光
- InP单晶材料性能及制备方法被引量：2
- 2018年
- 介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术(LEC)、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)、垂直梯度凝固技术(VGF)、垂直布里奇曼技术(VB)等。通过对各种生长方法进行对比,指出了各种方法的优势和不足,最后探讨了各类生长方法的应用领域和今后发展方向。
- 张伟才韩焕鹏杨静
- 铌酸锂晶片抛光的主要物理及化学因素分析被引量：1
- 2017年
- 光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求。为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法对铌酸锂进行加工。研究过程中,对负载压力、抛光布表面结构、抛光液流量、p H值等工艺参数进行了优化调整,最终制备出平整度较高、表面粗糙度较小的铌酸锂抛光片。实验结果表明,选取Suba 600抛光布、液流量3 m L/s、p H值为10、底盘转速60 r/min、压力为0.16 MPa作为抛光工艺参数可获得高平整、超光滑的铌酸锂抛光片。平面度测量仪与原子力显微镜测试结果表明,所制备LN抛光片的总厚度变化(TTV)为6.398μm,粗糙度(Ra)为0.196 nm。
- 杨静杨洪星韩焕鹏王雄龙田原范红娜张伟才
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光粗糙度
- 环境因素对锗单晶抛光片表面质量的影响
- 2020年
- 由于Ge材料具有较为活泼的化学性质,易与环境中的氧化剂发生化学反应,使Ge单晶抛光片表面质量因表面化学组成的变化而出现恶化,降低交付可靠性。通过实验验证了在氧化性氛围中,Ge单晶抛光片表面易产生雾,且随着时间延长而逐渐增多,直至表面完全被覆盖。从反应机理分析了Ge单晶抛光片表面可能发生的化学反应。通过X射线光电子能谱(XPS)验证了Ge单晶抛光片表面的价态发生了变化,发现Ge单晶抛光片表面发生了氧化反应。从环境因素入手,分析了净化等级和化学氛围对Ge单晶抛光片表面质量的影响,确定了Ge单晶抛光片的存放环境,保证了Ge单晶抛光片的交付可靠性。
- 杨洪星王雄龙索开南杨静陈晨
- 关键词：抛光片
- MEMS用硅单晶缺陷对各向异性腐蚀的影响被引量：2
- 2017年
- 为了满足微电子机械系统(MEMS)器件制作要求,各向异性腐蚀加工后的硅衬底需具有良好的表面质量。针对MEMS用硅单晶在各向异性腐蚀加工过程中出现的腐蚀表面粗糙、不平整问题,采用常规直拉(Cz)单晶、掺锗直拉单晶和磁场直拉单晶等不同工艺制备了多种硅单晶样品,并测试了其常规电参数、氧杂质浓度和微缺陷等参数。针对各种硅单晶样品,模拟了器件制作过程中各向异性腐蚀实验,获得了硅单晶的腐蚀表面情况,对比得出了影响硅单晶各向异性腐蚀质量的关键因素在于硅单晶内的氧杂质浓度及氧沉淀密度的控制,并从原子表面能和应力等方面推断晶体中氧沉淀缺陷对各向异性腐蚀质量的影响机理。
- 韩焕鹏杨静杨洪星
- 关键词：硅单晶各向异性腐蚀微缺陷氧沉淀
- 几种典型宽禁带半导体材料的制备及发展现状被引量：1
- 2016年
- 阐述了SiC、GaN、AlN等几种宽禁带半导体材料的特性、突出优势及其重要应用;并对比分析了目前制备这些半导体材料的主流方法及其各自存在的利与弊;最后讨论了宽禁带半导体材料的发展现状及其存在的挑战。
- 杨静杨洪星
- 关键词：碳化硅氮化镓宽禁带半导体
- 锗片表面钝化探究进展
- 2021年
- 从锗片实际应用中存在的表面均匀性差、表面质量不稳定问题出发,对影响锗片表面质量的因素进行了分析。研究结果表明,对锗片表面进行钝化后,能够改变锗抛光片表面的悬挂键状态、降低界面态密度,最终提高锗片的实际应用效果。并重点对氢钝化、氯钝化、氮钝化、硫钝化、硅钝化、氟钝化、烷烃钝化等主流钝化方式的适用性及优劣性进行了对比分析,对比分析主要从钝化液种类的选取、钝化时间与温度、钝化效果几个方面进行。
- 杨静韩焕鹏张伟才
- 关键词：钝化界面态密度
- SiC微粉粒径对干法背面软损伤工艺影响
- 2018年
- 以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理。以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响。实验结果表明,SiC微粉粒径对干法背面软损伤影响显著,当以粒径为6.7μm的SiC微粉对硅晶片进行干法背面软损伤时,制备的抛光片正表面洁净度良好,表面颗粒度为29个/片(表面颗粒D≥0.2μm)。经氧化诱生后,晶片背表面氧化诱生堆垛层错密度为(4~5)×10~4个/cm^2。背面软损伤层可起到较好的吸杂作用,经氧化诱生后晶片正表面无热氧化雾出现。
- 张伟才王雄龙杨洪星杨静李明佳
- 关键词：粒径
- 有机太阳能电池的研究进展
- 2022年
- 作为一种成本低廉、工艺简单、可柔性加工的储能器件技术,有机太阳能电池已经成为新型太阳能电池领域的重要发展方向。解决活性层材料的设计、入射光调控结构的应用及传输层界面的修饰问题,提升光电转化效率是目前有机太阳能电池的研究热点。综述了有机太阳能电池的研究进展,包括有机太阳能电池的设计与制备、界面缓冲材料设计及给体/受体材料改性研究,并展望了有机太阳能电池未来的发展方向。
- 何远东张伟才杨静陈晨
- 关键词：有机太阳能电池给体受体光电转化效率
