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孙强

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇荧光谱
  • 1篇质谱
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓晶体
  • 1篇抛光片
  • 1篇翘曲度
  • 1篇线切割
  • 1篇离子
  • 1篇光谱
  • 1篇光荧光
  • 1篇光荧光谱
  • 1篇二次离子质谱
  • 1篇PL
  • 1篇SIMS
  • 1篇MOCVD

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇孙强
  • 1篇马农农
  • 1篇李静
  • 1篇纪秀峰
  • 1篇薄春霞
  • 1篇王建利

传媒

  • 2篇天津科技

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaAs抛光片在MOCVD中斑现象分析
2011年
为了解决2英寸低阻掺硅砷化镓单面抛光片在MOCVD中"白斑"、"暗斑"的质量问题,从不同公司加工的同一规格的抛光片中取样,分别进行了光荧光谱(PL)、二次离子质谱(SIMS)等测试。通过对这些测试结果进行综合分析,最终确定了造成产品出现"斑"现象的原因,通过改进工艺,向MOCVD用户提供了满足要求的砷化镓抛光片。
王建利孙强李静马农农薄春霞
砷化镓晶体线切割工艺与晶片质量关系研究被引量：4
2010年
损伤层深度和翘曲度是鉴别晶片加工质量好坏的2个重要指标。用X射线回摆曲线法和非接触式电容法分别测量了砷化镓(GaAs)材料在线切割中的损伤层深度和翘曲度,分析了引入损伤和翘曲的主要因素。随着切割速度的降低,损伤层厚度略有减小。随着钢丝张力的增加和切割速度的降低,翘曲度明显改善。
孙强纪秀峰
关键词：砷化镓线切割翘曲度
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共1页<1>
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