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作者

  • 6篇高宏
  • 3篇赵桂林
  • 3篇周云波
  • 1篇李珂
  • 1篇高宏
  • 1篇孙杰杰
  • 1篇马金龙
  • 1篇徐丽丽

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇电子与封装

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2017
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
面向SOT-MRAM的磁屏蔽仿真设计与优化
2024年
磁随机存储器由于其高读写速度、接近无限次的读写次数和低功耗等优异特性受到越来越多的关注。磁随机存储器采用磁场方向来操作存储位,外部磁场很容易对磁结产生干扰导致读写错误的发生。因此采用磁屏蔽封装结构来减小外部磁场对存储器的影响具有重要意义。本文针对第四代自旋轨道矩磁随机存储器的磁屏蔽优化设计进行研究,根据自旋轨道矩磁随机存储器的面内磁场敏感特性,采用平行式磁屏蔽封装形式,建立了磁屏蔽有限元模型,分析了磁屏蔽结构因素(间距,面积和厚度)和磁饱和现象对磁屏蔽效果的影响,为磁存储器磁屏蔽设计提供了新思路。
高宏高宏王超孙杰杰
关键词:磁屏蔽有限元
一种能够自适应调节源极电压的灵敏放大器
本实用新型公开一种能够自适应调节源极电压的灵敏放大器,属于存储器设计技术领域,包括灵敏放大器模块和源极电压调节模块;所述源极电压调节模块根据所述灵敏放大器模块工作时源极的电压需求,将低电压VSS进行负向调节,输出电平NV...
张其笑周云波赵桂林杨霄垒吴晨烨高宏张新港王克鑫徐亮张文尧周健恺
文献传递
适用于Flash型FPGA的宽范围输出负压电荷泵设计
2024年
在Flash型FPGA的编程、擦除和回读检验等操作中,需要对Flash单元提供不同的正负高压偏置。提出一种适用于Flash型FPGA的负压电荷泵,该电荷泵采用三阱Flash工艺,消除了衬偏效应和衬底漏电的影响。电荷泵主体采用双支路并联结构,级数为6级。通过参考电压产生电路提供不同的输入参考电压,并结合电荷泵控制系统,可以实现电荷泵输出电压的自由调节,满足Flash型FPGA编程、擦除的负压要求。基于0.13μm Flash工艺对电荷泵进行设计及流片,在200 pF负载电容下,实测得到-5.5 V输出的建立时间仅为8μs,输出纹波为72 mV,-17.5 V输出的建立时间为30μs,输出纹波仅为56 mV,满足Flash型FPGA操作要求。
吴楚彬高宏马金龙张章
适用于flash编程的双电荷泵电路系统设计被引量:5
2017年
设计了一款应用于flash存储单元编程操作的高压双电荷泵电路系统,可同时提供正负高压。该系统基于传统的Dickson结构,采用提高传输管栅压的方法进行改进设计,降低电压传输损失,提高工作效率。同时,通过使能时序的控制,保证电路系统的稳定性;通过基准与分压电路的应用,保证输出电压的高精确度。仿真结果显示,该电路输出电压精度高、纹波小、效率高,已实际应用于芯片设计中,采用SMIC 0.18μm flash工艺流片,输出正负高压稳定,达到设计要求,性能良好。
李珂高宏徐丽丽
关键词:电荷泵比较器
一种源极电压自适应调节的灵敏放大器电路
本发明公开一种源极电压自适应调节的灵敏放大器电路,属于存储器设计技术领域,包括灵敏放大器模块和源极电压调节模块;所述源极电压调节模块根据所述灵敏放大器模块工作时源极的电压需求,将低电压VSS进行负向调节,输出电平NVSS...
张其笑周云波赵桂林杨霄垒吴晨烨高宏张新港王克鑫徐亮张文尧周健恺
一种源极电压自适应调节的灵敏放大器电路
本发明公开一种源极电压自适应调节的灵敏放大器电路,属于存储器设计技术领域,包括灵敏放大器模块和源极电压调节模块;所述源极电压调节模块根据所述灵敏放大器模块工作时源极的电压需求,将低电压VSS进行负向调节,输出电平NVSS...
张其笑周云波赵桂林杨霄垒吴晨烨高宏张新港王克鑫徐亮张文尧周健恺
文献传递
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