闫萍
- 作品数：9 被引量：0H指数：0
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- 真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化
- 介绍了生长电阻率1×10~4～2×10~4Ω·cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～...
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔少子寿命漩涡位错
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- 一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈
- 本实用新型公开了一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，所述线圈为平板单匝结构，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，在所述线圈骨架的上表面设有三级台阶，从第一级台阶至第三级台阶的所在圆的直径...
- 庞炳远闫萍张殿朝索开南
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- 区熔法Si单晶生长的电磁场仿真计算
- 悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si单晶生长进行数值模拟。考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区...
- 庞炳远闫萍索开南张殿朝
- 关键词：区熔SI数值模拟电磁场
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- 一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法
- 本发明提供了一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法，第一步、线圈表面喷砂：第二歩、线圈表面的超声波清洗：第三步、多晶硅真空区熔及蒸发：第四歩、线圈表面清理：第五歩、覆盖硅膜层，将第三步、第四歩的过程重复进行三次...
- 闫萍庞炳远刘洪
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- 线圈台阶对区熔硅单晶生长影响的数值计算分析
- 2009年
- 悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况。通过有限元法对区熔硅单晶生长进行数值模拟,考虑二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,主要对比分析了线圈上方有无台阶对单晶生长的不同影响。同时结合相应的试验结果及现象,得到了线圈台阶的引入提高了晶体成晶的质量。
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- 关键词：区熔硅单晶数值模拟
- 真空区熔硅单晶生长技术研究
- 2010年
- 对φ30mm、<111>晶向真空区熔硅单晶生长关键技术特点进行了分析,针对单晶生长过程中容易发生晶变的问题,从熔区受力、热场设计、结晶动力学等方面进行研究,理论联系实践,优化工艺参数,对如何提高熔区稳定性及结晶驱动力,提出了有效的解决措施,提高了真空区熔硅单晶的成品率。
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- 一种用于多晶硅真空区熔提纯的加热线圈
- 本实用新型公开了一种用于多晶硅真空区熔提纯的加热线圈，包括线圈骨架、线圈水冷管、其特征在于，在线圈骨架内圆周围的上表面设有两级台阶，第二级台阶的底部一端和线圈骨架内圆边沿连接成的斜面与水平面呈第二倾斜角度，所述线圈骨架内...
- 张殿朝闫萍庞炳远索开南
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- 一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法
- 本发明提供了一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法，第一步、线圈表面喷砂：第二歩、线圈表面的超声波清洗：第三步、多晶硅真空区熔及蒸发：第四歩、线圈表面清理：第五歩、覆盖硅膜层，将第三步、第四歩的过程重复进行三次...
- 闫萍庞炳远刘洪
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- 一种用于大直径多晶硅棒料的提纯线圈及方法
- 本发明公开了一种用于大直径多晶硅棒料的提纯线圈及方法。在对多晶料进行真空区熔提纯的过程中，为了提高提纯效率及多晶直径，设计了一种新型线圈。与传统整体式线圈不同，分为左右对称的两部分；由于线圈可分拆为独立的两部分，可在熔区...
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