李明
- 作品数：51 被引量：95H指数：6
- 供职机构：上海交通大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市浦江人才计划项目国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 电子封装中电镀技术的应用被引量：20
- 2005年
- 功能性镀层和精密电镀技术在半导体微电子产业当中应用十分广泛,且随着半导体集成电路向高密度、轻小型化发展,各种新型功能性电镀技术将会不断涌现。举出了功能镀层及精密镀层在电子封装中的应用实例。简要介绍了BGA型封装中的电镀技术。系统地介绍了电子封装中所涉及的各种电子电镀技术,并阐述了IC引线框架及无铅化电镀技术方面的应用情况、存在问题及今后的发展趋势。
- 李明
- 关键词：电子封装引线框架电镀
- 微纳米针分级结构析氢电极的电化学制备与表征
- 本文通过两步法制备出微纳米针分级结构首次用于析氢电极阴极材料。SEM显示这种微纳米针分级结构随着钴元素的增加,由"小海参"状演变为"毛毛虫"状。Tafel极化曲线表明Cu/Ni分级结构的交换电流密度比光亮镍提高近一个数量...
- 王宁袁宇航杭弢李明
- 关键词：电沉积析氢
- 文献传递
- 电镀硬金的研究现状被引量：8
- 2019年
- 硬金镀层由于具有高硬度、高耐磨性和优异的耐蚀性在电子器件和黄金饰品上受到广泛应用。本文概括了电镀硬金的基本原理,总结了钴硬金、镍硬金和无添加硬金等三种常见硬金镀层的电镀工艺及其研究进展,并对其硬度、耐磨性、接触电阻和孔隙率等性能进行综合评价,最后阐述了电镀硬金在电子和装饰领域的应用现状。
- 王明亮杨海燕李明杭弢
- 关键词：硬金电镀耐磨性接触电阻
- 电沉积法制备纳米Ni针锥阵列及其场发射性能的研究
- 采用电沉积方法制备了纳米 Ni 针锥场发射阵列,通过扫描电子显微镜（scanning electron microscope,SEM）观测了纳米 Ni 针锥阵列的微观形貌,利用真空场发射测试系统测试了其场发射性能.测试结...
- 李红凌惠琴李明毛大立
- 关键词：电沉积场发射性能扫描电子显微镜
- 文献传递
- Au-Ag合金镀无铅PPF引线框架的开发
- ＜正＞1.前言重视环保,提倡绿色产品是今后全球发展的大趋势。锡铅焊料的使用已有3000多年的历史,并以它无可比美的焊接性、良好的可靠性、适宜的熔点和较低的成本,得到电子行业的青睐,据统计为此每年电子行业耗铅将高达数万吨。...
- 李明
- 文献传递
- 聚二硫二丙烷磺酸钠对电沉积纳米孪晶铜的影响
- 2023年
- 以聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、明胶蛋白胨(GP)、氯离子为添加剂采用直流电镀制备了高度(220)择优取向的纳米孪晶铜,并探究了其形核机理。结果表明,加入SPS会使镀层由(111)和(220)取向转变为具有(220)择优取向的纳米孪晶铜,并且SPS浓度会强烈影响镀层的过渡层厚度。SPS和GP在铜表面竞争性吸附,使镀层的内应力比单一添加剂时更高,镀层通过形成(220)择优取向孪晶铜释放内应力。纳米孪晶铜的形核和生长受到电流密度和添加剂的共同影响,在合适的过电位下镀层才能通过形成孪晶来释放应变能。在20 mg/L SPS、4 A/dm^(2)条件下,孪晶结构最完整,过渡层最薄。
- 张妍嘉凌惠琴杭弢胡安民吴蕴雯李明
- 关键词：电沉积
- 电沉积制备多孔镍基纳米网结构
- 本文通过电沉积的方法制备了一种多孔的镍纳米网结构。扫描电子显微镜观察发现,通过在电沉积溶液中添加乙胺盐酸盐可以得到同普通的光滑镍层不同的类似于纳米立体网状的结构。断面分析显示这种结构为空间架构的,且具有较大的孔隙率。电化...
- 贺燕萍杭弢李明毛大立
- 关键词：电沉积多孔镍基
- 文献传递
- 芯片互连层化学机械平坦化过程中材料移除机理研究进展被引量：1
- 2022年
- 化学机械平坦化(Chemical mechanical planarization,CMP)是芯片制造中的关键技术,用于实现多种结构表面纳米级别的超精细平坦化。互连层金属和芯片结构中的其他材料性质差异较大,其平坦化过程更加依赖于抛光浆料中的化学组分。协同机理适用于描述金属CMP的材料移除过程:抛光浆料中的化学组分对互连层表面进行化学改性,继而在研磨粒子的机械磨削作用下去除。基于此,综述重点介绍了研究研磨粒子微观状态和作用的接触机制和其相关模型的发展;并分别阐述了氧化剂、络合剂和抑制剂等化学组分的作用和金属的反应过程和原理;最后对抛光液组分最新研究进展和发展趋势进行了归纳总结,以期在芯片制造技术发展过程中,对新型浆料的开发提供参考,以满足不同工况条件下所需的材料去除速率,超精细平坦化和超低缺陷的要求。
- 杭弢常鹏飞李明
- 关键词：化学机械平坦化CMP抛光液
- IC引线框架镍钯金电镀技术及其最新进展
- ＜正＞主要内容 1、应用背景 2、技术特点 3、工艺要求 4、弱点及存在问题 5、最新进展
- 李明
- 文献传递
- 铜与硅之间W/Mo-N薄膜的扩散阻挡层性能被引量：4
- 2005年
- 研究了铜与硅之间W/Mo-N薄膜的扩散阻挡性能。在Si(100)基片上利用反应溅射沉积一层Mo-N薄膜,然后再利用直流溅射在Mo-N上面沉积Cu/W薄膜。样品在真空下退火,并利用四点探针、X射线衍射分析、扫描电镜分析、俄歇电子能谱原子深度剖析等测试方法研究了Cu/W/Mo-N/Si的热稳定性及W/Mo-N薄膜对铜与硅的扩散阻挡性能。实验分析表明,Cu/W/Mo-N/Si结构具有非常好的热稳定性,在600oC退火30min仍未发生相变,并能有效的阻挡铜与硅之间的扩散。
- 宋双喜刘玉章毛大立李明
- 关键词：扩散阻挡层溅射热稳定性
