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王勇

作品数：14 被引量：16H指数：3
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 2篇核科学技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 5篇数字集成电路
  • 5篇探测器
  • 5篇存储器
  • 3篇粒子探测器
  • 3篇开启电压
  • 3篇E^2PRO...
  • 3篇EEPROM
  • 3篇N
  • 2篇击穿电压
  • 2篇光探测
  • 2篇光探测器
  • 1篇电流
  • 1篇电容滤波
  • 1篇电容滤波器
  • 1篇浅结
  • 1篇专用集成电路
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外光

机构

  • 14篇清华大学

作者

  • 14篇王勇
  • 7篇费圭甫
  • 6篇蒋志
  • 6篇吴正立
  • 5篇王纪民
  • 5篇严利人
  • 3篇张继盛
  • 2篇陈武
  • 2篇单一林
  • 2篇王水弟
  • 1篇张小军
  • 1篇邱晓海
  • 1篇张建人
  • 1篇沈延钊
  • 1篇陈志良
  • 1篇乔忠林
  • 1篇朱钧
  • 1篇黄维柱
  • 1篇吴君华
  • 1篇张向民

传媒

  • 6篇微电子学
  • 2篇核电子学与探...
  • 2篇半导体光电
  • 2篇第九届全国半...
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 5篇1996
  • 2篇1995
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅微条粒子探测器被引量：6
1997年
本文主要介绍硅微条粒子探测器的研究情况，侧重于器件的基本结构及其工作原理。
王勇张继盛费圭甫
关键词：粒子探测器硅探测器半导体探测器
硅微条粒子探测器的设计
张继盛王勇
关键词：粒子探测器
硅浅结紫外光探测器的研究被引量：3
2000年
采用低能离子注入法在Si材料上制作了浅结结构紫外光 (UV )探测器 ,介绍了探测器的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明 ,这种探测器能够有效地探测波长为 2 0 0nm至 4 0 0nm的紫外光。
陈武王勇王水弟单一林MikkoMatikkala
关键词：紫外光探测器浅结硅
硅粒子探测器自动中测系统
1998年
本文介绍了一种适合硅粒子探测器的自动中测系统。可同时测量１６个样品，全部由微机控制。数据存放在微机中，可以给出统计数据，也可绘出特性曲线，从而大大提高了测试效率与质量。目前用于测量硅粒子探测器反向Ｉ－Ｖ曲线。实验表明：本装置测得的数据是可靠的，并大大提高了效率。
张小军张继盛王勇
关键词：自动测量系统小电流
EEPROM工艺中场开启电压的特殊要求与对策
1996年
ＥＥＰＲＯＭ要求场开启电压≥２０Ｖ，Ｐ－Ｎ结击穿电压也要求≥２０Ｖ，前者需提高场区杂质浓度，而后者则需要降低场区杂质浓度。通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛盾的对策：首先根据Ｐ－Ｎ结击穿电压的要求确定场区杂质浓度，继而大幅度调节场氧厚度，从而使二者都能满足要求。
吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫王美荣乔忠林
关键词：存储器EEPROM击穿电压
N管开启电压调整注入对P－N结击穿电压的影响被引量：1
1996年
为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度。通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。
吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫
关键词：数字集成电路存储器EEPROM
提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究被引量：2
1996年
为了提高Ｅ２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压（ＶＰＴ），用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低压区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺可大幅度提高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；
吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫
关键词：数字集成电路存储器E^2PROM
E^2PROM制造中耗尽型N管夹断电压的工艺控制
1996年
提出了一种计算耗尽型Ｎ管夹断电压ＶＴＤ的方法。该方法引用通常的ＶＴＤ计算公式，式中难以确定的参数Ｎ（沟道内平均杂质浓度）由工艺模拟的结果导出，其他参数则由工艺参数导出。计算出的ＶＴＤ用作制定实验方案的参考。经工艺实验得到的两条控制曲线均可将ＶＴＤ控制在－２．５～－３．５Ｖ之间。
吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫
关键词：数字集成电路集成电路卡E^2PROM
E^2PROM中PMOS管开启电压的工艺控制
1996年
采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量、掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响，很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同时又保证了ｐｎ结击穿电压的要求。
吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫
关键词：数字集成电路存储器E^2PROMPMOS
FLOTOX EEPROM存储管的简单模型分析和实验研究被引量：3
1997年
分析了ＦＬＯＴＯＸＥＥＰＲＯＭ的简单电容模型和擦写特性。实验研究了不同的器件结构参数和擦写脉冲对存储管特性的影响，表明隧道氧化层和多晶之间介质层的厚度对ＥＥＰＲＯＭ阈值窗口有很大的影响，采用指数上升波形或三角波形进行编程可以改善ＥＥＰＲＯＭ的耐久性。
吴君华吴正立蒋志王勇乔中林朱钧
关键词：数字集成电路硅器件存储器EEPROM
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