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王伟

作品数:16 被引量:43H指数:4
供职机构:吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金吉林省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信轻工技术与工程理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 9篇晶体管
  • 8篇场效应
  • 7篇晶体
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇并五苯
  • 4篇迁移率
  • 3篇低电压
  • 3篇电压
  • 3篇有机薄膜场效...
  • 3篇有机薄膜晶体...
  • 3篇迁移
  • 3篇发光
  • 3篇非易失性
  • 3篇非易失性存储
  • 3篇非易失性存储...
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 3篇存储器
  • 2篇有机发光
  • 2篇有机发光二极...

机构

  • 16篇吉林大学
  • 5篇中国科学院
  • 1篇华侨大学
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 16篇王伟
  • 12篇石家纬
  • 10篇郭树旭
  • 8篇刘明大
  • 5篇张素梅
  • 5篇全宝富
  • 5篇马东阁
  • 4篇张宏梅
  • 3篇梁昌
  • 3篇刘建军
  • 2篇李靖
  • 2篇赵玲
  • 1篇吴志军
  • 1篇金玉
  • 1篇曹军胜
  • 1篇姜文海
  • 1篇游汉
  • 1篇高强
  • 1篇胡胜坤
  • 1篇方俊峰

传媒

  • 4篇发光学报
  • 3篇半导体光电
  • 2篇吉林大学学报...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 3篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 3篇2007
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
易于集成的有机薄膜场效应晶体管的制备被引量:3
2005年
用有机半导体并五苯作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,采用全蒸镀方式在真空室一次性制备了正装结构的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)。薄的有机绝缘层使得器件工作在低电压下,有机薄膜场效应晶体管易于与显示像素(有机发光二极管(OLED))集成在同一个透明的刚性或者柔性衬底上。研究了有机薄膜场效应晶体管的源漏接触电阻和沟道电阻对器件性能的影响,结果表明接触电阻是影响器件性能的主要因素。在透明的玻璃衬底上实现了有机薄膜场效应晶体管对同一衬底上100μm×200μm红色有机发光二极管的驱动。
王伟石家纬郭树旭全宝富刘明大张宏梅梁昌张素梅游汉马东阁
关键词:光电子学并五苯有机薄膜场效应晶体管
有机薄膜FET的研究进展被引量:3
2003年
 介绍了有机薄膜FET的结构、工作原理,综述了目前的研究进展,分析了存在的问题,并对有机薄膜FET的应用前景进行了展望。
张素梅石家纬郭树旭刘明大王伟
关键词:有机半导体FET
并五苯场效应发光管机理分析与场效应管制作被引量:3
2003年
采用并五苯材料,通过物理气相沉积,生长出无依托的晶体薄膜,厚度在微米量级,长度是毫米量级,长度和厚度的比大约为1000。为了使晶片有个依托,以聚酰亚胺作为粘合剂,把并五苯晶体薄膜平铺粘在玻璃衬底上。在显微镜下观测,有机薄膜平整、无裂痕,符合制备器件的要求。然后,制备出有机场效应管。并对有机场效应管I V特性和发光机理进行了分析探讨。
郭树旭刘建军王伟张素梅石家纬刘明大
关键词:发光机理
蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管被引量:4
2007年
以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。
王伟石家纬郭树旭刘明大张宏梅梁昌全宝富马东阁
OTFTs结构与器件性能被引量:4
2007年
在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BC-OTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响。结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级。研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响。结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电场,可积累更多的电荷,以填充更多的陷阱,使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高。
王伟石家纬姜文海郭树旭张宏梅马东阁全宝富
关键词:有机薄膜场效应晶体管底电极迁移率
并五苯同质异相体中分子间势能与能带计算
2007年
采用Born-Mayer-Haggins对势模型,分析了并五苯分子间势能及其相互作用.用紧束缚模型计算了两种并五苯同质异相体结构的能带宽度.计算带宽随温度升高减小8%—14%.
郭树旭王伟石家纬
关键词:并五苯
基于分子浮栅的有机场效应晶体管非易失性存储器
徐婷徐妹娌项兰义王伟
关键词:有机场效应晶体管非易失性存储器
高迁移率柔性铁电有机晶体管非易失性存储器
徐妹娌徐婷项兰义王伟
关键词:场效应晶体管非易失性存储器迁移率
微显示被引量:11
2005年
微显示已广泛用在投影及头盔、手提摄像机等近目观看系统中。其独特的优点已成为显示家族中一个重要成员,且随着科技的发展和应用的拓宽将使它在显示家族中具有越来越重要的地位。文章概述了微显示所涉及的问题,评述了微显示的现状和发展,并对OLED微显示进行了讨论。
王伟石家纬
关键词:微显示液晶有机发光二极管
并五苯晶体薄膜的生长被引量:4
2002年
用物理气相沉积法在水平系统中生长有机半导体并五苯晶体薄膜 .用 1 0~ 3 0 mg的源生长出 2 0~ 3 0 mm2 大小的适合特性测量和器件制备的晶体薄膜 .利用 TEM,SEM和
张素梅石家纬刘建军刘明大郭树旭王伟赵玲李靖
关键词:薄膜生长
共2页<12>
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