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张磊

作品数:10 被引量:87H指数:3
供职机构:浙江大学光电信息工程学系现代光学仪器国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇理学
  • 3篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇量子点
  • 3篇非球面
  • 2篇锗量子点
  • 2篇面形
  • 2篇纳米
  • 2篇非零
  • 2篇衬底
  • 1篇导体
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔氧化铝
  • 1篇多孔氧化铝模...
  • 1篇性能表征
  • 1篇衍射
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化铝模板
  • 1篇锗硅
  • 1篇直流
  • 1篇泰伯效应
  • 1篇退火
  • 1篇球面加工

机构

  • 10篇浙江大学

作者

  • 10篇张磊
  • 6篇叶辉
  • 5篇皇甫幼睿
  • 4篇刘旭
  • 3篇刘东
  • 3篇杨甬英
  • 2篇沈亦兵
  • 2篇张冲
  • 2篇詹文博
  • 1篇尹伊
  • 1篇刘钦晓
  • 1篇田超
  • 1篇余飞鸿
  • 1篇严欣欣
  • 1篇傅兴海
  • 1篇张文字

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇光学学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国光学

年份

  • 3篇2014
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究被引量:3
2009年
在晶体衍射理论基础上,利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射(reflection high energy electron diffraction,RHEED)在Si-Ge晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样.尤其研究了晶体岛状生长之后出现的RHHED透射式衍射花样,并给出了相应的解释.解释了硅锗外延生长过程中的多晶环图案和孪晶衍射图案的含义,并给出各个生长阶段演化的工艺条件.
张冲叶辉张磊皇甫幼睿刘旭
二维周期物体自成像条件的扩展被引量:2
2010年
基于标量衍射理论研究了二维周期物体自成像现象,进一步地扩展了二维周期物体的自成像条件。研究表明,只要两个方向周期长度的平方满足整数比,就存在相应的周期夹角满足自成像要求;另一方面,只要两个方向周期夹角的余弦值的平方是有理数,理论上也就能找到比例合适的周期长度实现自成像。分析了同一个二维周期物体用不同的周期长度及夹角组合来表示时,这些组合之间的数值关系。根据这些关系,给出了判断两个不同的周期长度及夹角的组合是否等价的方法。最后用数值模拟验证了相关的理论分析。
严欣欣张磊张文字刘钦晓余飞鸿
关键词:衍射自成像泰伯效应
非球面非零位环形子孔径拼接干涉检测技术被引量:11
2014年
提出了一种新型的非零位环形子孔径拼接干涉检测技术(NASSI)用以检测深度非球面面形误差。该方法结合了传统非零位干涉检测法与环形子孔径拼接法,采用部分零位镜替代了标准环形子孔径拼接干涉仪中的透射球面镜,产生非球面波前用以匹配被测面不同子孔径区域。该非球面波前比球面波前更加接近被测面的名义面形,使所需的子孔径数目大大减少。一方面增大了环带宽度和重叠区,提高了拼接精度;另一方面减少了各种误差累积次数。同时,配合基于系统建模的理论波前方法分别校正各个子孔径的回程误差,进一步提高了检测精度。对非球面度为25μm的高次非球面的计算机仿真检测结果表明该方法具有很高的理论精度。针对口径101mm的抛物面进行了实验检测,多次实验结果均与ZygoR○VerifireTMAsphere干涉仪检测结果一致,峰谷(PV)值误差优于λ/20,均方根(RMS)值误差优于λ/100,表明了NASSI方法的高精度与高重复性。
张磊田超刘东师途杨甬英沈亦兵
关键词:回程误差
利用多孔氧化铝模板生长锗纳米点研究
本文利用多孔阳极氧化铝作为模板,将贴有模板的衬底在分子束外延生长系统中进行锗的沉积,通过不同的工艺选择,研究了其对于自组装锗纳米点的有序性和周期性的影响。扫描电镜的结果证实此方法可以获得尺寸小、均一且周期性良好的纳米点状...
皇甫幼睿张磊詹文博叶辉
关键词:多孔氧化铝模板
锗硅半导体量子点及薄膜的制备研究
随着近年来光子学与微光子学的迅速发展,作为集成微电子学的主要材料锗硅半导体被发现在集成光电子学领域显示出日益重要的作用。硅光子学也因此成为了半导体光子学中重要的研究领域。近年来,该领域取得了重要的进展,多种基于硅及SOI...
叶辉张磊张冲皇甫幼睿刘旭
文献传递
氧化硅缓冲层对于退火形成锗量子点的作用研究
2011年
在化学氧化得到的二氧化硅薄层覆盖的硅衬底上,室温淀积锗膜并进行后期退火处理.实验表明,不同于传统退火过程形成大岛,通过一定工艺的控制可以获得高密度(~1011cm-2)的均匀锗量子点.研究了后期退火温度对量子点的结构影响的局部反常规律并进行了原因分析.利用拉曼和荧光光谱研究了其应力和发光特性,发现在可见(500nm)和近红外(1350nm)的两个光致荧光峰出现.
张磊叶辉皇甫幼睿刘旭
关键词:锗量子点二氧化硅退火
氧化硅衬底上高密度锗量子点的微结构研究被引量:1
2011年
以化学氧化生成的SiO2缓冲层作为衬底,利用分子束外延(MBE)系统通过直接生长以及后期退火的方式获得了高密度(1011cm-2)的锗量子点结构。借助于扫描电镜和电子衍射等进一步研究了其生长机理,与传统的S-K生长模式进行比较并给出了清晰的微观结构示意图。拉曼光谱证实此类微结构中有压应力的存在,而退火后的量子点则应力得到释放。
张磊叶辉皇甫幼睿詹文博刘旭
关键词:纳米微结构分子束外延成核
非球面非零位检测的逆向优化面形重构被引量:10
2014年
非球面的非零位检测较其零位检测而言具有更强的通用性,但非零位检测偏离了零位条件,所产生的回程误差给被测非球面的面形重构带来一定困难。针对非球面非零位检测中回程误差的校正与面形重构问题,提出了基于检测系统理论建模的非球面面形逆向求解技术。该方法对实际检测系统进行理论建模,设置被测面面形为变量,以实际检测到的波前作为目标函数,通过拟合优化得到的结果进而重构出被测面面形。对逆向优化重构技术进行了仿真验证、实际检测和误差分析,实际测量口径为101.0mm的凹抛物面反射镜,检测结果与标准零位法测得结果一致,峰谷值和均方根值误差分别优于λ/20和λ/50。
师途刘东张磊杨甬英沈亦兵
关键词:面形检测误差分析
非球面光学元件的面形检测技术被引量:67
2014年
介绍了非球面各加工阶段的面形检测技术及其最新进展,重点介绍了非球面精密抛光期的面形检测技术,并对其中的非零位子孔径拼接干涉检测法和部分补偿法进行了详细阐述,提出了适用于大口径、深度非球面面形检测的组合干涉法的概念。概述了近年来受到关注的自由曲面非球面的发展和检测技术现状,展望了非球面检测技术的发展趋势。
师途杨甬英张磊刘东
关键词:非球面检测非球面加工自由曲面
择优取向MgO在Si衬底上的直流溅射制备及其性能表征被引量:3
2009年
采用直流磁控溅射并通过优化工艺参数,在(100)Si衬底上成功制备了高度(100)择优的MgO薄膜和MgO/TiN双层膜结构.对(100)MgO择优取向温度影响机理做了详细讨论,并利用XRD,AFM,FESEM等手段研究了在(100)Si和(100)TiN/Si两种衬底上,不同工艺条件下MgO薄膜的表面和断面微观结构,表征了MgO薄膜的柱状生长结构和与TiN薄膜的良好外延关系.在对薄膜光学特性的研究中,利用Sellmeier模型获得了Si上MgO薄膜在可见光波段的折射率参数(550 nm处折射率为1.692),利用非均匀模型获得了TiN/Si衬底上的MgO薄膜在可见光波段的折射率参数(靠近空气层的薄膜在550nm处折射率为1.716).
傅兴海尹伊张磊叶辉
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