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三电极碳纳米管传感器的极间距优化（英文）: 2015年; 三电极碳纳米管传感器各电极之间的间距大小是影响检测精度的关键因素之一。在用传感器阵列检测多组分气体混合物时,各传感器的极间距很难确定。为三电极碳纳米管气体传感器提出一种基于粒子群算法(PSO)的极间距优化方法。该方法包括设计极间距、组建由不同极间距的多个传感器组成的传感器阵列、建立包括极间距及检测离子电流的数据库、建立混合气体定量分析模型及极间距优化等步骤。采用多组由不同极间距的三个碳纳米管传感器构成的传感器阵列对NO和SO2混合气体进行测量,其中各传感器的极间距均采用上述方法优化。实验结果显示,上述极间距优化方法能够有效地选择电极之间的最佳间距,优化极间距后的传感器也获得了更高的检测灵敏度。; 郝惠敏张勇权龙; 关键词：极间距粒子群优化

气体光谱分析应用中傅里叶变换红外光谱基线漂移分段比校正方法被引量：12: 2013年; 针对气体光谱分析应用中傅里叶变换红外光谱仪长时间连续工作时易出现光谱基线漂移、畸变问题,对红外光源温度波动及漂移、动镜倾斜、分束器性能变化以及检测器横向偏移对光谱基线的影响进行了仿真研究,结果表明光谱基线的漂移近似线性。基于此,本文提出分段比光谱基线漂移修正法SBCPD校正光谱基线。通过比较基线校正前后仿真光谱峰高变化、偏最小二乘(PLS)定量分析模型预测不确定度、油气探井气测录井在线基线校正性能,发现SBCPD性能优越,要优于传统的多项式拟合法及airPLS法。经检验,该方法性能稳定,计算量小,便于工程应用。; 汤晓君王进张蕾关金锋张勇刘君华; 关键词：傅里叶变换红外光谱

近红外光谱烷烃类气体定量分析系统的研究被引量：2: 2011年; 介绍了一种近红外光谱烷烃类气体在线定量分析测量方法。该方法以单片闪耀光栅为核心构成分光系统,分析计算了分光系统的关键参数,设计构建了硬件系统平台,完成了窄带光束实验测试和烷烃类七种单组分气体光谱探测实验。实验表明,入射狭缝为2mm时,分光系统在中心波长1200～1800nm波段内能够分离谱宽为10nm的窄带光束,出射光束中心波长步进扫描步长优于0.1nm。光谱探测实验证实七种气体在1600～1800nm波段内存在较强的特征谱线,但存在严重的交叉混叠现象。甲烷谱线位置与HITRAN光谱数据库相吻合。实验结果表明该方法有可能用于混合气体探测,且结构简单、成本低廉,为后续研究提供了技术储备并明确了研究方向。; 朱凌建汤晓君邱宗明刘君华张钟华张勇

基于流体模型的碳纳米管电离式传感器的结构优化方法被引量：2: 2021年; 与常规电离式传感器相比,碳纳米管三电极电离式气体传感器具有体积小、工作电压低的优势,对智能电网、泛在物联网的发展具有重要作用,但存在输出电流低、灵敏度低的缺点,需要从结构上对其进行优化.本文基于汤生放电原理,采用COMSOL Multiphysics多物理场直接耦合分析软件,建立了传感器二维等离子体放电流体仿真模型.研究得到了8种不同结构的传感器,在氮气背景中的静电场分布及传感器收集极平均电流密度.通过对比不同结构参数下的电场强度及电流密度值,得到了最优传感器结构.结合仿真结果,制备了8种优化结构的传感器进行实验验证,最优传感器结构具有最高的收集电流密度,与仿真结果一致,证明了本文提出的结构优化方法的可行性.基于最优结构,制作了100和120μm极间距的传感器,获得了NO/SO_2两组分混合气体的敏感特性.与其他技术相比,最优传感器的灵敏度比现有技术高1—2个数量级,展示了三电极电离式碳纳米管传感器的应用潜力.; 吴健韩文程珍珍杨彬孙利利王迪朱程鹏张勇耿明昕景龑; 关键词：流体模型结构优化高灵敏度

应用生物电阻抗法评价种植体周围骨缺损的动物实验研究: 2015年; 目的:研究骨缺损种植体周围的生物电阻抗信息。方法:在6只杂种犬双侧上颌第二前磨牙近中窝即刻植入同型种植体,建立非骨缺损模型与不同面积的骨缺损模型,测量生理状态下种植体到对侧口角之间的电阻抗值,对比骨缺损组与非缺损组之间的电阻抗值,以及不同面积骨缺损组之间的电阻抗值。结果:非缺损组电阻抗值大于骨缺损组(P<0.05),骨缺损面积大者电阻抗值小(P<0.05)。结论:电阻抗可用来反映种植体周围有无骨缺损以及区分骨缺损面积大小。; 周龙勋孟兆理刘芳芳贺龙龙杜良智张勇常晓峰; 关键词：种植体骨缺损生物电阻抗

电离式三电极碳纳米管乙炔传感器: 2021年; 乙炔(C_(2)H_(2))气体是变压器油中溶解的主要故障特征气体之一,乙炔气体检测是实现变压器故障在线监测的关键。现有的乙炔传感器存在灵敏度低、结构复杂等问题。采用微电子机械系统(MEMS)加工工艺设计制作了一种电离式三电极碳纳米管(CNT)乙炔传感器,该传感器工作在非自持放电状态,碳纳米管尖端在低电压下产生高场强,使这种传感器安全运行。实验结果表明该传感器收集极电流随被测气体体积分数的增加而减小,并随引出极电压的增加而增加。该传感器可检测体积分数1×10^(-6)的微量乙炔气体,在室温下工作展现出比同类传感器更高的灵敏度,多次重复性实验标准偏差小于0.042 nA,相对误差小于1.0%;3个不同批次传感器的收集极电流最小偏差为0.9%。传感器表现出了较好的重复性和一致性,在变压器故障检测领域具有应用潜力。; 郝西伟申晨景龑潘晓彤薛倩楠程珍珍张勇

4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET高低温下的特性被引量：1: 2020年; 采用自对准工艺制备了1.2 kV4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET器件,并在90~490 K的温度范围内对4H-SiC MOSFET器件的静态和动态特性与商用1.2 kV Si IGBT器件的性能进行了对比研究。4H-SiC MOSFET器件的静态特性包括导通电阻(Ron)和阈值电压(Vth),而动态特性则重点研究了开关能量损耗(ESW)随温度的变化。首次在低温下针对与沟道缺陷相关的4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET的动态导通电阻退化机理进行了定量化分析。实验结果发现4H-SiC平面型MOSFET器件的开启瞬态的延迟较小短,而4H-SiC沟槽型MOSFET器件表现出显著的开启瞬态延迟和动态导通电阻退化现象,在低温下动态电阻退化现象更为严重。CV特性曲线显示动态导通电阻退化是由于沟槽型器件沟道中与工艺相关的缺陷造成的。随着4HSiC沟槽型MOSFET器件制备工艺的不断成熟,工艺相关的缺陷有望得到缓解,从而从根本上消除动态导通电阻的退化。; 祁金伟田凯张勇张安平; 关键词：温度效应

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张勇