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胡成余

作品数：14 被引量：9H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
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共 27 条 记 录，以下是 1-10
张国义
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡晓东
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题：GAN 氮化镓 GAN基激光器 氮化物 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志忠
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 发光二极管 衬底 出光效率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦志新
供职机构：北京大学
研究主题：位错 氮化镓 ALGAN ALN 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨志坚
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王彦杰
供职机构：北京大学
研究主题：氧化层 氮化镓 P-GAN 干法刻蚀 干法处理
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈伟华
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 氮化物 干法刻蚀 峰值波长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王琦
供职机构：北京大学
研究主题：存储介质 电子设备 纹理 图像处理技术 时域
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章蓓
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 激光剥离 发光二极管 氮化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨华
供职机构：北京大学
研究主题：MOCVD GAN 氮化镓 欧姆接触 AU
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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