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张兴宏

作品数：6 被引量：16H指数：3
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
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共 13 条 记 录，以下是 1-10
夏冠群
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾伟东
供职机构：华为技术有限公司
研究主题：信号 削波 ALGAINP HBT 双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴杰
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：砷化镓 异质结 HBT GA AL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐元森
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：芯片 微芯片 CMOS 聚合酶链式反应 寡核苷酸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程知群
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：DOHERTY功率放大器 金纳米棒 宽带 功率放大器 功率放大
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
束伟民
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：HBT 双极晶体管 异质结 ALGAINP 发射极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨玉芬
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：HEMT 毫米波 振荡器 ALGAAS/GAAS 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡雨生
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：N型 电子辐照 砷化镓 GAAS MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
束为民
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：ALGAINP 砷化镓 HBT GA 电流增益
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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