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张晓菊

作品数：15 被引量：22H指数：3
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
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郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任红霞
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
研究主题：槽栅PMOSFET 深亚微米槽栅 放电特性 等离子体显示器 热载流子效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李培咸
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 蓝宝石衬底 多量子阱 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金凤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 二维电子气 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龚欣
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：高介电常数 金属膜 蒸发 GAN SUB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李开成
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：分子束外延 SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘道广
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT SIGE HBT VDMOS器件 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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