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罗谦

作品数：92 被引量：21H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
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领域

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地区

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于奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜江锋
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 异质结场效应晶体管 肖特基接触 势垒 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向展
供职机构：电子科技大学
研究主题：栅氧化层 沟道 半导体技术 电流 本征
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：电流崩塌 表面态 CMOS SIGE GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
靳翀
供职机构：电子科技大学
研究主题：表面态 电流崩塌 GAN 高电子迁移率晶体管 电场分布
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏建新
供职机构：电子科技大学
研究主题：GAN 表面态 电流崩塌 高电子迁移率晶体管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周伟
供职机构：电子科技大学
研究主题：表面态 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 氮化镓 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵子奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：肖特基接触 氮化镓 异质结场效应晶体管 欧姆接触 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严慧
供职机构：电子科技大学
研究主题：肖特基接触 氮化镓 半导体技术 栅氧化层 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李竞春
供职机构：电子科技大学
研究主题：SIGE MOS器件 CMOS 锗硅 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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