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张南红

作品数:9 被引量:5H指数:1
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曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘宏新
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 氮化镓 GAN RF-MBE 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓亮
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖红领
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩勤
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:雪崩光电探测器 GAAS 光电探测器 量子点 包层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 多量子阱 GAAS 垂直腔面发射激光器 GAAS/GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐应强
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:超晶格 分子束外延 锑化物 红外探测器 INAS/GASB超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启元
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅衬底 氧化铝薄膜 MOCVD 热退火 氧化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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