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李多力

作品数：121 被引量：19H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾传滨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 集成电路 绝缘体上硅 埋氧层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高林春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 静电保护 隔离区 接触区 漏电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 静电保护 绝缘体上硅 漏电 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫薇薇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 埋氧层 硅化物 隔离区 可控硅器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 半导体器件 模型参数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵发展
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 电路 半导体器件 漏极 单粒子翻转
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
海潮和
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 PDSOI 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 埋氧层 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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