2024年8月29日
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黄念宁
作品数:
44
被引量:54
H指数:3
供职机构:
南京电子器件研究所
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国家自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
蒋幼泉
南京电子器件研究所
高建峰
南京电子器件研究所
李拂晓
南京电子器件研究所
林罡
微波毫米波单片集成和模块电路重...
陈新宇
南京电子器件研究所
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蒋幼泉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
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所获资助
研究领域
高建峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 MESFET
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李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
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陈新宇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
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杨乃彬
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MMIC HFET GAN
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陈宗蕴
供职机构:华中科技大学物理学院
研究主题:光纤 孤子解 金 相互作用 稀磁合金
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林罡
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 微光 太赫兹 GAN
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韩克锋
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 晶体管 Y型 沟道 GAAS_PHEMT
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何进春
供职机构:华中科技大学数学与统计学院
研究主题:GEL 孤子解 LEVITAN ITA 守恒量
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邵凯
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 射频开关 微波功率器件 GAAS_PHEMT 前置放大器
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