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兰天平

作品数：15 被引量：33H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：国家部委资助项目更多>>
相关领域：电子电信理学环境科学与工程文化科学更多>>

合作作者

领域

  • 12个电子电信
  • 8个理学
  • 4个环境科学与工...
  • 2个一般工业技术
  • 2个文化科学
  • 1个电气工程
  • 1个轻工技术与工...

主题

  • 15个单晶
  • 13个位错
  • 12个位错密度
  • 8个英寸
  • 8个砷化镓
  • 8个半绝缘
  • 8个GAAS单晶
  • 7个温度梯度
  • 7个晶片
  • 7个晶体
  • 7个VGF
  • 6个半绝缘砷化镓
  • 6个VB
  • 5个单晶生长
  • 5个锗单晶
  • 5个砷化镓材料
  • 5个砷化镓单晶
  • 5个晶体生长
  • 5个半绝缘砷化镓...
  • 4个载流子

机构

  • 16个中国电子科技...
  • 1个电子部
  • 1个天津电子材料...

资助

  • 2个国家部委资助...
  • 1个国家自然科学...
  • 1个天津市自然科...
  • 1个国家科技部专...
  • 1个中国人民解放...

传媒

  • 9个半导体技术
  • 9个人工晶体学报
  • 4个电子工业专用...
  • 4个科技创新导报
  • 4个第十三届全国...
  • 3个天津科技
  • 3个微纳电子技术
  • 2个电子工艺技术
  • 1个节能技术
  • 1个河南科技
  • 1个稀有金属
  • 1个功能材料与器...
  • 1个压电与声光
  • 1个天津科技大学...
  • 1个中国电子科学...
  • 1个第二届中国国...
  • 1个第十二届全国...
  • 1个中国有色金属...

地区

  • 16个天津市
共 16 条 记 录，以下是 1-10
周春锋
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：VGF GAAS 砷化镓 单晶生长 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛沈军
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：位错密度 砷化镓 GAAS单晶 晶体生长 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙强
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：砷化镓 砷化镓材料 位错密度 VGF 单晶生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建利
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：位错密度 GAAS晶体 VB EPD 漂移速度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林健
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：单晶片 砷化镓 表面粗糙度 磷化铟 超薄
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周传新
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：GAAS晶体 GAAS单晶 VGF P型 温度梯度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周春峰
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：EPD 位错密度 漂移速度 砷化镓材料 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹志颖
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：GAAS单晶 VGF VB 半绝缘 单晶生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丰梅霞
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：VB 半绝缘砷化镓单晶 晶体生长 位错密度 砷化镓单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张颖武
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：单晶 硒化镉 大尺寸 GASB 性能表征
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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