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徐大鹏

作品数：10 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 22 条 记 录，以下是 1-10
杨辉
供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 欧姆接触电极 紫外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉田
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 X射线双晶衍射 GAN MOCVD 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵德刚
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 紫外探测器 衬底 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑联喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 MOCVD 立方相 MOCVD生长 立方相GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李顺峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：立方相 GAN MOCVD INGAN 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙小玲
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD 立方相 砷化镓 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段俐宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN MOCVD 紫外探测器 砷化镓 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 GROWTH X射线衍射 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯志宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 立方相 氮化镓 MOCVD 立方相GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑新和
供职机构：北京科技大学
研究主题：太阳能电池 GAN 有源 导电类型 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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