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王向展

作品数：138 被引量：116H指数：7
供职机构：电子科技大学更多>>
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于奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
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李竞春
供职机构：电子科技大学
研究主题：SIGE MOS器件 CMOS 锗硅 沟道
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宁宁
供职机构：电子科技大学
研究主题：模拟集成电路 模数转换器 模拟数字转换 电容 比较器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗谦
供职机构：电子科技大学
研究主题：肖特基接触 击穿特性 导通 HEMT器件 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：电流崩塌 表面态 CMOS SIGE GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾庆平
供职机构：电子科技大学
研究主题：应变硅 半导体技术 栅氧化层 小尺寸 锗硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘斌
供职机构：电子科技大学
研究主题：半导体技术 栅氧化层 应变硅 可重构 漏极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹建强
供职机构：电子科技大学
研究主题：电流 逻辑器件 本征 源区 金属栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨洪东
供职机构：电子科技大学
研究主题：锗硅 互补金属氧化物半导体 CMOS器件 沟道 微米工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄建国
供职机构：电子科技大学
研究主题：波形合成 脉冲 上升沿 数据采集 采样时钟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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