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许晓军

作品数：10 被引量：9H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
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董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 二维电子气 ALGAN ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN ALGAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高汉超
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 GAAS INGAAS DHBT 铟镓砷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张岚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金属有机化合物气相淀积 MOCVD生长 SEM 4H-SIC ALGAN/GAN
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姜文海
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN GA MOCVD生长 N型 蒸发法
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张东国
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 SIC衬底 二维电子气 GAN
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刘六亭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：英寸 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管 硅外延片 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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