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卢盛辉

作品数：13 被引量：9H指数：1
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程更多>>

合作作者

领域

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主题

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  • 10个电子迁移率
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机构

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资助

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传媒

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  • 3个电子学报

地区

  • 13个四川省
  • 1个江苏省
  • 1个重庆市
共 15 条 记 录，以下是 1-10
杜江锋
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 异质结场效应晶体管 肖特基接触 势垒 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗谦
供职机构：电子科技大学
研究主题：肖特基接触 击穿特性 导通 HEMT器件 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：电流崩塌 表面态 CMOS SIGE GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周伟
供职机构：电子科技大学
研究主题：表面态 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 氮化镓 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏建新
供职机构：电子科技大学
研究主题：GAN 表面态 电流崩塌 高电子迁移率晶体管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
靳翀
供职机构：电子科技大学
研究主题：表面态 电流崩塌 GAN 高电子迁移率晶体管 电场分布
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗大为
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：电流崩塌 氮化镓 场板 GAN高电子迁移率晶体管 温度分布
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严地
供职机构：电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT 高电子迁移率晶体管 击穿特性 氮化镓 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨洪东
供职机构：电子科技大学
研究主题：锗硅 互补金属氧化物半导体 CMOS器件 沟道 微米工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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