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杜川华

作品数：48 被引量：38H指数：4
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
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许献国
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：电磁脉冲 闭锁 抗辐射 CMOS器件 X射线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵洪超
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：反熔丝 Γ剂量率 性能研究 剂量率 中子辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱小锋
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：性能研究 反熔丝 中子辐照 剂量率 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
詹峻岭
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：反熔丝 性能研究 电离辐照 FPGA 延时电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢泽元
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：超宽带 总剂量 电磁脉冲 总剂量辐射 双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾超
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：证据理论 可靠性 不确定性 自适应 MEMS陀螺仪
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁国火
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：FPGA 辐照效应 反熔丝 总剂量 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余军红
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：Γ剂量率 性能研究 抗辐射 总剂量 大电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵海霖
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：可编程器件 微控制器 反熔丝 加固技术 现场可编程门阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨有莉
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：剂量率 校准方法 三端稳压器 80C31单片机 测量不确定度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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